时间：2025/5/9 9:16:23
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4TPE330MI 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，采用 N 沟道增强型技术设计。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于各种电源管理应用中，例如 DC-DC 转换器、电机驱动器以及负载开关等场景。
这款芯片使用 TO-252 封装形式，具备良好的散热性能和电气稳定性。通过优化的结构设计，能够显著降低功耗并提升系统效率。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：78A
导通电阻：1.6mΩ
栅极电荷：19nC
开关时间（开通）：18ns
开关时间（关断）：12ns
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
4TPE330MI 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有效减少传导损耗。
2. 高电流承载能力，支持高达 78A 的连续漏极电流。
3. 快速开关特性，适合高频操作环境。
4. 具备出色的热稳定性和可靠性，能够在极端温度条件下正常运行。
5. 小尺寸封装，便于 PCB 布局设计和安装。
6. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
该芯片广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS) 中的功率转换模块。
2. 电动汽车和混合动力汽车中的电机控制器。
3. 工业自动化设备中的负载切换电路。
4. 各类电池管理系统 (BMS) 的保护机制。
5. LED 照明驱动器中的高效能量传输方案。
6. 数据通信设备中的电源分配网络。
IRFZ44N
STP75NF06L
FDP5500
AO3400
