类型：瞬态电压抑制二极管阵列（TVS Array）
　　通道数：4
　　工作电压（VRWM）：5.0V
　　击穿电压（VBR）：6.0V @ 1mA
　　最大箝位电压（VC）：12.0V @ 1A
　　峰值脉冲电流（IPP）：2.5A
　　结电容（Cj）：典型值0.8pF
　　反向漏电流（IR）：最大1μA
　　封装形式：UTDFN-6
　　工作温度范围：-40°C ~ +125°C
　　ESD耐受能力：±30kV（IEC61000-4-2, Contact）

4SP2200M具备卓越的瞬态抑制性能，能够在极短时间内响应高达±30kV的接触ESD冲击，符合IEC61000-4-2国际标准中的最高等级要求。其单个TVS单元的设计优化了动态电阻，使得在大电流瞬态事件下仍能保持较低的钳位电压，减少对被保护器件的压力。这种低钳位电压特性对于现代低电压逻辑电路尤为重要，因为这些电路的工作电压通常接近或低于传统TVS器件的钳位电压，容易因过压而损坏。
　　该器件的每个通道均具有极低的寄生电容（典型值仅为0.8pF），这一特性使其非常适合用于高速差分信号线路，如USB 2.0、HDMI、MIPI等接口。低电容有助于维持信号完整性，避免信号衰减、反射或失真，从而保证数据传输的可靠性与速率。此外，由于其对高频信号的干扰极小，4SP2200M可以在不牺牲系统性能的前提下提供强大的电磁兼容性（EMC）保护。
　　4SP2200M采用UTDFN-6小型化封装，尺寸仅为1.0mm x 1.6mm x 0.55mm，非常适合空间受限的应用场景，例如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等。该封装还具有良好的热性能和机械稳定性，能够在高温环境下长期稳定运行。器件的双向结构设计允许其在正负瞬态电压下均能有效工作，无需考虑极性连接问题，提升了设计灵活性和装配便利性。
　　另一个关键优势是其超低的漏电流（最大1μA），这意味着在正常工作状态下几乎不会产生额外功耗，特别适用于电池供电的便携式设备，有助于延长续航时间。同时，其高可靠性经过严格的质量认证，符合RoHS和无卤素要求，支持现代绿色电子制造标准。整体而言，4SP2200M是一款集高性能、小尺寸、低功耗于一体的先进ESD保护解决方案，适用于对EMI/ESD防护有严苛要求的高端电子系统。

4SP2200M广泛应用于各类需要高等级静电防护的电子设备中，尤其适用于高速数据接口的保护。常见应用场景包括智能手机和平板电脑中的USB端口、耳机插孔、触摸屏控制器信号线等，这些部位极易受到用户操作过程中产生的静电影响。通过部署4SP2200M，可以显著提升产品的耐用性和用户体验，降低现场故障率。
　　在便携式消费类电子产品中，如智能手表、TWS耳机、运动相机等，由于外壳紧凑且频繁接触人体，ESD风险极高，因此需要高效能的小型化保护器件。4SP2200M凭借其微型封装和优异的电气性能，成为此类应用的理想选择。
　　此外，该器件也适用于工业控制系统的通信接口保护，例如RS-485、CAN总线、I2C/SPI等低电压信号线路，在复杂电磁环境中提供可靠的瞬态抑制能力。在网络通信设备中，如路由器、交换机的前端信号调理电路中，4SP2200M可用于防止雷击感应或电源耦合引起的瞬态干扰。
　　在汽车电子领域，尽管其主要定位为消费类应用，但在非动力域的车载信息娱乐系统（IVI）、导航模块、USB充电端口等低压信号路径中也可使用该器件进行辅助性ESD防护。总之，凡是存在高速信号传输且面临ESD威胁的场合，4SP2200M都能发挥出色的保护作用。

SP2200-05UTG
　　RCLAMP0594P
　　TPD3USB1117
　　ESDA4114M