4SEP150M 是一款由 Littelfuse 公司生产的瞬态电压抑制二极管阵列(TVS Array),专为保护敏感电子设备免受静电放电(ESD)、电快速瞬变脉冲群(EFT)和其他瞬态电压事件的影响而设计。该器件采用紧凑的封装形式,适用于需要高密度布局和高性能保护的应用场景。4SEP150M 属于半导体放电管(SIDACtor)技术产品线,具备快速响应时间和低钳位电压特性,能够在纳秒级时间内将过电压引导至安全路径,从而有效防止下游电路受损。该器件广泛应用于通信接口、消费类电子产品以及工业控制系统中,尤其适合用于 USB、HDMI、以太网端口等高速数据线路的防护。
该器件的工作原理基于可控硅整流器(SCR)结构,当瞬态电压超过预设的触发电压时,器件迅速从高阻态切换到低阻态,形成一个低阻抗通路,将浪涌电流旁路到地。在过压事件结束后,4SEP150M 能够自动恢复到高阻态,无需人工干预或重启系统,确保了系统的连续性和可靠性。这种自恢复特性使其相较于传统的一次性熔断型保护元件更具优势,特别是在频繁遭遇 ESD 事件的环境中。
器件类型:瞬态电压抑制器阵列
通道数:4
工作电压(VRWM):150V
最大峰值脉冲电流(Ipp):具体值需查阅官方数据手册
响应时间:典型值 < 1ns
击穿电压(VBR):典型值 170V
钳位电压(VC):在指定测试条件下约为 290V
封装类型:SIP(单列直插式)
引脚数:8
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
存储温度范围:-55°C 至 +125°C
寄生电容:典型值低于 1pF 每通道
安装方式:通孔(Through-Hole)
制造商:Littelfuse, Inc.
系列:4SEE/4SEP 系列
4SEP150M 的核心特性之一是其基于 SIDACtor 技术的高可靠性瞬态保护能力。该技术结合了可控硅器件的高浪涌处理能力和 TVS 二极管的快速响应优点,能够在极短时间内检测并抑制高达数十安培的瞬态电流。与传统的 TVS 二极管相比,4SEP150M 在多次 ESD 冲击下仍能保持稳定的电气性能,不会因老化或退化而降低保护效果。其低动态电阻特性确保在导通状态下电压上升缓慢,从而提供更低的钳位电压,减少对被保护电路的压力。
另一个显著特点是其四通道独立保护结构,允许同时保护多条信号线,特别适用于多线制通信接口如 RS-485、CAN 总线或并行数据总线。每个通道都具有相同的电气规格,保证了系统设计的一致性和可预测性。此外,器件的寄生电容极低(通常小于 1pF),这对于高速数据传输线路至关重要,因为它几乎不会引入信号失真或衰减,支持高达 Gbps 级别的数据速率而不影响完整性。
4SEP150M 还具备优异的热稳定性和长期可靠性。其内部结构经过优化,能够在高温环境下长时间运行而不发生性能漂移。器件通过 AEC-Q101 等汽车级认证的可能性较高,适用于严苛环境下的工业和车载应用。同时,由于其通孔封装设计,便于手工焊接和维修,适合小批量生产或原型开发阶段使用。整体来看,4SEP150M 提供了一种高效、耐用且易于集成的电路保护解决方案,尤其适合对抗高强度 ESD 和雷击感应脉冲。
4SEP150M 广泛应用于各种需要高等级瞬态电压保护的电子系统中。在工业自动化领域,它常用于保护 PLC 输入/输出模块、传感器接口和现场总线通信端口,防止来自电机启停、继电器切换或电源波动引起的电快速瞬变干扰。在电信基础设施中,该器件可用于基站控制板、光模块接口和用户线路卡,抵御雷击感应和电网耦合噪声。
在消费类电子产品方面,4SEP150M 可用于电视、机顶盒、游戏主机等设备中的 HDMI、DisplayPort 或音频接口,防止用户操作过程中产生的静电损坏内部 IC。在医疗设备中,由于其高可靠性和低泄漏电流特性,可用于监护仪、超声设备的数据采集前端,保障患者安全和信号精度。
此外,在汽车电子系统中,尽管其封装形式可能限制了在主流 SMT 生产线上的应用,但在某些售后加装或维修场景中,4SEP150M 仍可用于保护 CAN、LIN 总线节点免受跳线启动或充电过程中的电压突波影响。其自恢复功能避免了保险丝更换的麻烦,提升了整车电子系统的鲁棒性。总之,任何存在 ESD 风险或多点连接暴露在外的电子系统均可考虑采用 4SEP150M 实现稳健的过压防护。
4SEE150M
4SE150M-04
SLVU2.3-4