1N5235B 是一种齐纳二极管(Zener Diode),主要用于电压调节和稳压电路中。它通过反向击穿特性来提供稳定的参考电压,确保电路在负载变化或输入电压波动时仍能维持恒定的输出电压。该型号属于 1N52xx 系列齐纳二极管,广泛应用于消费电子、工业控制和其他需要精确电压稳定的应用场景。
齐纳二极管的工作原理是利用其反向击穿电压保持恒定的特点,在特定范围内即使电流发生变化,齐纳电压也能基本保持不变。
型号:1N5235B
齐纳电压(Vz):18V
功率耗散(Pz):500mW
最大工作电流(Izm):34mA
反向漏电流(Ir):5uA(在额定电压下)
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装形式:DO-35(玻璃外壳)
1N5235B 的主要特性包括以下几点:
1. 高精度的齐纳电压值,能够提供稳定的参考电压,适合用作基准源。
2. 工作温度范围宽广,适应各种恶劣环境条件。
3. 封装采用玻璃外壳,具有良好的机械强度和电气绝缘性能。
4. 功率耗散为 500mW,适用于中小功率稳压应用。
5. 反向漏电流低,能够在低功耗条件下保持较高的效率。
6. 击穿电压范围窄,保证了电压稳定性。
这些特性使得 1N5235B 成为许多简单稳压电路的理想选择。
1N5235B 主要应用于以下领域:
1. 电源电路中的电压调节和稳压功能。
2. 过压保护电路,防止敏感元件因过高电压而损坏。
3. 模拟电路和数字电路中的基准电压源。
4. 信号电平转换,用于匹配不同设备间的信号幅度。
5. 浪涌吸收电路,保护后级电路免受瞬态电压冲击。
由于其高可靠性和成本效益,1N5235B 在各类电子产品中都十分常见,例如家用电器、汽车电子和通信设备等。
1N5235
MMSZ5235B
BZX84-C18