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1N5235B 发布时间 时间:2025/7/3 16:04:15 查看 阅读:7

1N5235B 是一种齐纳二极管(Zener Diode),主要用于电压调节和稳压电路中。它通过反向击穿特性来提供稳定的参考电压,确保电路在负载变化或输入电压波动时仍能维持恒定的输出电压。该型号属于 1N52xx 系列齐纳二极管,广泛应用于消费电子、工业控制和其他需要精确电压稳定的应用场景。
  齐纳二极管的工作原理是利用其反向击穿电压保持恒定的特点,在特定范围内即使电流发生变化,齐纳电压也能基本保持不变。

参数

型号:1N5235B
  齐纳电压(Vz):18V
  功率耗散(Pz):500mW
  最大工作电流(Izm):34mA
  反向漏电流(Ir):5uA(在额定电压下)
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装形式:DO-35(玻璃外壳)

特性

1N5235B 的主要特性包括以下几点:
  1. 高精度的齐纳电压值,能够提供稳定的参考电压,适合用作基准源。
  2. 工作温度范围宽广,适应各种恶劣环境条件。
  3. 封装采用玻璃外壳,具有良好的机械强度和电气绝缘性能。
  4. 功率耗散为 500mW,适用于中小功率稳压应用。
  5. 反向漏电流低,能够在低功耗条件下保持较高的效率。
  6. 击穿电压范围窄,保证了电压稳定性。
  这些特性使得 1N5235B 成为许多简单稳压电路的理想选择。

应用

1N5235B 主要应用于以下领域:
  1. 电源电路中的电压调节和稳压功能。
  2. 过压保护电路,防止敏感元件因过高电压而损坏。
  3. 模拟电路和数字电路中的基准电压源。
  4. 信号电平转换,用于匹配不同设备间的信号幅度。
  5. 浪涌吸收电路,保护后级电路免受瞬态电压冲击。
  由于其高可靠性和成本效益,1N5235B 在各类电子产品中都十分常见,例如家用电器、汽车电子和通信设备等。

替代型号

1N5235
  MMSZ5235B
  BZX84-C18

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1N5235B参数

  • 标准包装1,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/齐纳
  • 系列-
  • 电压 - 齐纳(标称)(Vz)6.8V
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)1.2V @ 200mA
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电3µA @ 5V
  • 容差±5%
  • 功率 - 最大500mW
  • 阻抗(最大)(Zzt)5 欧姆
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳DO-204AH,DO-35,轴向
  • 供应商设备封装DO-35
  • 包装散装
  • 工作温度-65°C ~ 200°C
  • 其它名称1N5235B-ND1N5235BFS