类型：光电晶体管输出光耦合器
　　通道数：1
　　输入正向电流：50mA
　　输入反向电压：6V
　　输出耐压：30V
　　集电极-发射极饱和电压：300mV（典型值）
　　电流传输比（CTR）：50%~600%
　　上升时间：2μs
　　下降时间：2μs
　　工作温度范围：-55°C ~ +110°C
　　存储温度范围：-65°C ~ +150°C
　　隔离电压：5000VRMS
　　封装形式：DIP-6

4N90L光耦合器的核心优势在于其出色的电气隔离能力和稳定可靠的信号传输性能。该器件采用GaAs红外LED与硅光电晶体管的组合结构，确保了较长的使用寿命和良好的温度稳定性。在正常工作条件下，其电流传输比（CTR）可在50%至600%之间，表明其在不同负载和驱动条件下均能保持高效的信号传递能力。这一宽范围的CTR特性使得4N90L能够适应多种电路设计需求，包括低功耗控制电路和需要较强驱动能力的应用场景。
　　该器件具备快速的响应时间，典型上升和下降时间均为2微秒，使其适用于中高速信号隔离场合，如开关电源反馈回路、微控制器I/O隔离、继电器驱动电路等。相比一些低速光耦，4N90L在动态响应方面表现出色，能够在较高频率下稳定工作，减少信号延迟和失真。此外，其输出端的光电晶体管具有较低的集电极-发射极饱和电压（典型值300mV），有助于降低功耗并提高系统的整体效率。
　　4N90L的隔离电压高达5000VRMS，符合UL、CSA、VDE等多种国际安全认证标准，适用于工业自动化、医疗设备、电力监控等对安全性要求较高的领域。其DIP-6封装便于手工焊接和自动化装配，兼容通孔安装工艺，增强了在不同生产环境中的适用性。同时，器件的工作温度范围宽达-55°C至+110°C，能够在极端环境下保持稳定运行，适用于户外设备、汽车电子和高温工业环境。
　　值得一提的是，4N90L具有良好的抗电磁干扰（EMI）能力，能够在高噪声环境中可靠工作。由于其输入与输出之间无电气连接，仅通过光信号耦合，因此可以有效阻断地线环路、共模噪声和瞬态高压对敏感电路的影响。这种特性使其在变频器、伺服驱动器、PLC模块和通信接口隔离中发挥重要作用。此外，该器件的老化特性稳定，长期使用后性能衰减较小，提升了系统的长期可靠性。

4N90L光耦合器广泛应用于各类需要电气隔离的电子系统中。在开关电源中，常用于反馈回路，将次级侧的电压调节信号传递到初级侧的PWM控制器，实现稳压控制的同时保证高低压之间的安全隔离。在工业控制系统中，该器件可用于PLC输入/输出模块的信号隔离，防止现场侧的高压或噪声干扰影响中央处理单元。此外，在电机驱动器、逆变器和UPS电源中，4N90L也常被用来隔离控制信号与功率电路，提升系统的抗干扰能力和安全性。
　　在通信接口领域，4N90L可用于RS-232、RS-485等串行通信线路的信号隔离，防止不同设备间的地电位差导致通信异常或设备损坏。在微控制器系统中，当需要驱动继电器、固态继电器或大电流负载时，4N90L可作为中间隔离元件，保护MCU免受反向电动势或过压冲击。此外，该器件还适用于医疗电子设备中的信号隔离，满足严格的电气安全规范。
　　其他典型应用包括：AC/DC和DC/DC转换器中的电平转换与隔离、电池管理系统（BMS）中的信号传输、智能电表的数据隔离、太阳能逆变器的控制电路以及家用电器中的微处理器接口保护。由于其通用性强、性价比高，4N90L在消费类电子、工业自动化、能源管理和汽车电子等多个领域均有广泛应用。

PC817XNIP0Y
　　MOC817C-Y1
　　TLP521-GB