时间：2025/12/27 8:45:11
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4N65L-TQ2-R是一款由ON Semiconductor生产的光耦合器（光电隔离器），广泛应用于需要电气隔离的电路中。该器件内部集成了一个红外发光二极管和一个光电晶体管，通过光信号实现输入与输出之间的信号传输，从而有效隔离高电压或噪声干扰。4N65L-TQ2-R采用紧凑的表面贴装封装（通常为4引脚DIP或SOP封装），适用于空间受限的应用场景。该光耦具有良好的绝缘性能和较高的隔离电压，适合在工业控制、电源管理、通信接口等环境中使用。其设计符合多项国际安全标准，包括UL、CSA和VDE认证，确保在高压环境下的安全运行。此外，该器件具有较长的使用寿命和稳定的电气特性，能够在较宽的温度范围内可靠工作，是现代电子系统中实现信号隔离的理想选择之一。
类型：光电晶体管输出光耦
通道数：1
输入正向电流：60 mA
输入正向电压：1.7 V
输出集电极-发射极电压：600 V
输出集电极电流：200 mA
电流传输比（CTR）：50% ~ 600%
响应时间（上升/下降）：3 μs / 3 μs
隔离电压：5000 VRMS
工作温度范围：-55°C ~ +110°C
封装类型：SOP-4
包装方式：卷带（Tape and Reel）
湿度敏感等级（MSL）：1
4N65L-TQ2-R具备优异的电气隔离性能，其最大隔离电压可达5000 VRMS，能够有效防止高压侧对低压控制电路的干扰或损坏，适用于需要高安全等级的工业设备和电源系统。
该光耦的输出端采用光电晶体管结构，具有较高的集电极-发射极耐压（600V），使其可在高压开关电源中作为反馈控制元件使用，例如在反激式转换器中实现次级电压采样与初级控制间的隔离传输。
器件的电流传输比（CTR）范围宽，典型值在50%至600%之间，表明其在不同工作条件下均能保持良好的信号传递效率，减少了驱动电流需求，提升了系统能效。
响应时间短，上升和下降时间均为3微秒，支持中高速信号传输，适用于PWM控制、数字信号隔离及通信接口等应用场合。
4N65L-TQ2-R采用无铅、符合RoHS标准的环保材料制造，满足现代电子产品对环境友好性的要求；同时具备良好的抗潮湿性能（MSL等级为1），适合回流焊工艺，增强了生产过程中的可靠性。
其工作温度范围宽达-55°C至+110°C，保证了在极端环境条件下的稳定运行，适用于汽车电子、工业自动化等严苛应用场景。
由于其小型化表面贴装封装形式，4N65L-TQ2-R节省PCB空间，便于自动化贴片生产，提高了整机装配效率。
广泛用于开关电源中的反馈回路，实现输出电压的隔离检测与稳压控制。
在工业控制系统中作为PLC输入/输出模块的信号隔离器件，提升抗干扰能力。
用于逆变器、UPS电源、电机驱动等电力电子设备中的驱动信号隔离。
适用于微处理器系统与外部高电压设备之间的接口隔离，保护主控芯片。
在通信设备中用于数字信号的电平转换与隔离传输。
可用于医疗电子设备中，满足对电气安全和电磁兼容性的严格要求。
4N65, H11AA1, PC817X, LTV-817S, EL817
