时间：2025/6/29 12:09:39
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RF18N4R0A500CT 是一款高性能的射频 (RF) 功率晶体管，广泛应用于无线通信系统中的功率放大器模块。该器件采用先进的 LDMOS（Laterally Diffused Metal-Oxide-Semiconductor）技术制造，能够提供高效率和高增益性能。其设计针对高频应用进行了优化，能够在多种频率范围内实现稳定的输出功率表现。
RF18N4R0A500CT 的封装形式便于散热管理，同时具有良好的线性度特性，适用于基站、中继器和其他需要高效功率传输的应用场景。
型号：RF18N4R0A500CT
类型：射频功率晶体管
工艺技术：LDMOS
工作频率范围：700 MHz - 3.5 GHz
输出功率：50 W (典型值)
增益：16 dB (典型值)
效率：大于 55%
电源电压：28 V
封装形式：TO-247-3
结温范围：-55°C 至 +175°C
RF18N4R0A500CT 具备以下显著特点：
1. 高输出功率能力，适合于多载波环境下的宽带应用。
2. 优异的线性度表现，降低了信号失真并提升了通信质量。
3. 在宽广的工作频率范围内保持稳定性能，适应多种射频应用场景。
4. 内部保护电路增强了可靠性，包括过流保护和热关断功能。
5. 紧凑型封装设计，简化了系统集成和散热处理。
6. 低寄生电感封装技术确保高频条件下具备优良的匹配性能。
7. 可靠性测试结果表明，器件在长时间运行中仍能维持高效输出。
该射频功率晶体管适用于以下领域：
1. 无线通信基础设施中的功率放大器设计。
2. 移动网络基站（如 4G LTE 和部分 5G 应用）。
3. 中继器和分布式天线系统 (DAS)。
4. 测试与测量设备中的高功率信号源。
5. 工业、科学和医疗 (ISM) 领域的射频能量应用。
6. 车载或固定式无线电通信设备中的功率放大模块。
RF18N4R0A500CS, RF18H4R0A500CT
