时间：2025/8/24 23:30:00
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4N60N 是一款常用的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、电机控制、DC-DC转换器等电力电子设备中。该器件具有较高的耐压能力和较大的电流承载能力，适用于中高功率场合。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：600V
栅源电压（Vgs）：±30V
漏极电流（Id）：2.5A（连续）
功耗（Pd）：45W
导通电阻（Rds(on)）：2.5Ω（最大）
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
4N60N MOSFET具有良好的热稳定性和较高的开关速度，适合用于高频开关应用。其低栅极电荷（Qg）特性有助于减少开关损耗，提高系统效率。此外，该器件的封装形式通常为TO-220或TO-92，便于散热和安装。
该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，能够在多种驱动条件下稳定工作。其内部结构设计优化了电场分布，提升了器件的雪崩耐受能力，增强了可靠性。同时，4N60N具有较强的抗过载能力，适用于一些对稳定性要求较高的工业控制和电源管理应用。
在使用过程中，4N60N通常需要配合适当的散热片以确保良好的热管理。此外，由于其较高的漏源电压额定值，该器件在AC-DC电源转换器、节能灯镇流器、小型电机控制以及各种开关模式电源（SMPS）中被广泛采用。
4N60N 主要应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动电路、LED驱动电源、电子镇流器、家用电器电源控制以及各种中低功率电力电子设备中。
6N60、7N60、FQP12N60C、IRF840
