时间：2025/12/28 15:25:10
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KTC3295-B是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理和功率转换应用中。该器件采用先进的平面工艺技术制造，具有低导通电阻、高耐压和高可靠性等优点。KTC3295-B通常用于DC-DC转换器、开关电源、电机控制、负载开关以及电池管理系统等需要高效功率开关的场合。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流（ID）：12A
漏源击穿电压（VDS）：60V
栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：最大值为7.5mΩ（在VGS=10V时）
功率耗散（PD）：30W
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：TO-220、TO-252等
KTC3295-B具备多项优异的电气特性和物理特性，使其在功率电子应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。其次，该器件具有高耐压能力，漏源电压可达60V，适用于多种中低压功率转换场景。此外，KTC3295-B的封装设计具有良好的热性能，能够有效散热，确保长时间工作下的稳定性。该器件的栅极驱动电压范围宽，可在+10V至+20V之间正常工作，兼容多种驱动电路设计。KTC3295-B还具有较高的开关速度，适用于高频开关应用，从而减小外部电感和电容的体积，提高整体系统的功率密度。
KTC3295-B广泛应用于各类电力电子设备中，如开关电源（SMPS）、DC-DC降压/升压转换器、电池管理系统（BMS）、电机驱动器、逆变器、UPS不间断电源、工业自动化控制系统以及LED照明驱动电路等。其低导通损耗和高可靠性使其成为高性能电源管理方案的理想选择。
SiHF60N120E、IRFZ44N、STP12NM60ND、TK29N60X、KTC3297-B
