类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：600V
　　栅源电压(Vgs)：±30V
　　连续漏极电流(Id)：4A
　　工作温度范围：-55℃至+150℃
　　导通电阻(Rds(on))：典型值为1.7Ω
　　功率耗散(Pd)：50W
　　封装形式：TO-220、DPAK等

4N60具有多项优良的电气和物理特性。首先，其漏源电压为600V，适合在高电压环境下工作，适用于多种电源管理应用。其次，该器件的连续漏极电流为4A，能够承受较大的负载电流，适用于中高功率的应用场景。
　　此外，4N60的栅源电压范围为±30V，具备较强的抗过压能力，从而提高了器件的可靠性。其导通电阻(Rds(on))典型值为1.7Ω，虽然与一些高性能MOSFET相比略高，但在成本敏感的应用中仍表现出良好的导通性能。
　　该器件的封装形式多样，包括TO-220和DPAK等，便于在不同的电路板设计中使用。TO-220封装具有良好的散热能力，适合需要较大功率耗散的应用，而DPAK封装则更适合表面贴装工艺，提高生产效率。
　　在热性能方面，4N60的最大工作温度可达150℃，确保其在高温环境下仍能稳定运行。同时，其功率耗散能力为50W，进一步增强了其在高功率应用中的适用性。
　　4N60的开关特性也较为优异，具备较快的开关速度，能够减少开关损耗，提高整体系统的能效。这对于高频开关电源和DC-DC转换器来说尤为重要。

4N60主要应用于各种电源管理系统中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC适配器、电池充电器以及电机控制电路等。由于其较高的耐压能力和适中的导通电流能力，4N60常用于中小功率的电源转换设备中，如LED驱动电源、家用电器电源模块、工业控制设备电源等。
　　此外，4N60还适用于需要高效能和高可靠性的应用场景，如太阳能逆变器、UPS不间断电源、智能电表以及其他需要高电压操作的电子设备。其良好的热稳定性和封装形式的多样性，使其在不同的设计中都能发挥良好的性能。

FQP4N60、IRF740、STP4NK60Z、2SK2216