工作温度范围：-55°C 至 +100°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　最大输入电流：60 mA
　　输出晶体管集电极-发射极电压（VCEO）：30 V
　　电流传输比（CTR）：20% - 400%（取决于型号）
　　隔离电压：5000 VRMS
　　响应时间：约 3 μs（上升时间）和 3 μs（下降时间）
　　封装类型：DIP-6（双列直插式封装）

4N30S(TA) 是一款经典的光耦合器，具备优异的电气隔离性能和稳定的信号传输特性。其核心特性之一是其高隔离电压，可达5000 VRMS，使其适用于需要高电气隔离安全性的应用场合，例如工业控制、电源管理和医疗器械等。该器件采用DIP-6封装，便于插件安装和焊接，适用于多种电路板设计。4N30S(TA) 的光电晶体管输出端具有较高的电压耐受能力，最大集电极-发射极电压为30V，适用于多种电压等级的控制电路。
　　此外，4N30S(TA) 的电流传输比（CTR）范围较宽，通常在20%到400%之间，具体数值取决于具体型号和批次。CTR是衡量光耦性能的重要参数，代表输入LED驱动电流与输出晶体管集电极电流的比例关系。CTR越高，信号传输效率越好，适用于需要高灵敏度的应用。该器件的响应时间较快，典型上升时间和下降时间均为3微秒左右，适合中高速信号隔离应用。
　　4N30S(TA) 还具备良好的抗干扰能力和较长的使用寿命，由于其基于光电原理工作，没有机械接触部件，因此不易磨损，可靠性高。其工作温度范围为-55°C至+100°C，适应工业级环境温度，适用于各种工业自动化设备和嵌入式系统。

4N30S(TA) 主要应用于需要电气隔离的电路中，如交流/直流电源控制、工业自动化设备、电机驱动电路、继电器驱动、信号隔离、PLC（可编程逻辑控制器）、测量仪器和医疗电子设备等。其主要作用是防止高压侧对低压侧的干扰或损坏，提高系统的稳定性和安全性。在变频器、电源管理模块和智能电表中，4N30S(TA) 常用于隔离控制信号和主电路之间的连接，以确保操作人员和设备的安全。此外，在通信设备中，它也常用于隔离不同电压域之间的信号传输，避免接地回路干扰和电位差造成的损坏。

4N30S(TA) 的替代型号包括 4N30、4N31、4N32、6N137、TLP521-1、PC817、MOC3020（用于双向可控硅控制）等。