时间：2025/6/20 11:52:24
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STN254050UL50H是由意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款超低功耗的N沟道MOS主要用于需要高效能和低功耗的应用场景，例如便携式设备、电池供电系统以及各类功率管理电路。
该器件采用了先进的制造工艺，具有非常低的导通电阻（Rds(on)），从而显著降低了功率损耗并提高了整体效率。同时，它还具备快速开关速度的特点，非常适合高频开关应用。
型号：STN254050UL50H
类型：N-Channel MOSFET
封装：SOT-23
漏源极电压(Vdss)：50V
连续漏极电流(Id)：4.1A
栅极阈值电压(Vgs(th))：1.8V
导通电阻(Rds(on))：70mΩ (最大值，在Vgs=4.5V时)
工作温度范围：-55°C to +150°C
STN254050UL50H具有出色的性能特点，主要包括：
1. 极低的导通电阻：这使得器件在高电流应用中能够减少功率损耗，提高系统效率。
2. 快速开关能力：得益于其较低的输入电容和输出电荷，该MOSFET能够在高频条件下保持高效的开关操作。
3. 超小型封装：采用SOT-23封装，适合空间受限的设计。
4. 宽广的工作温度范围：从-55°C到+150°C，确保了器件在极端环境下的可靠性。
5. 高耐压：50V的额定漏源极电压使其适用于多种电源应用。
这些特性使得STN254050UL50H成为众多便携式和电池供电设备的理想选择。
STN254050UL50H广泛应用于以下领域：
1. 便携式电子设备：如智能手机、平板电脑等，用作负载开关或充电控制。
2. 电池管理系统：用于电池保护、电量监测以及充电管理。
3. 开关电源：作为功率转换中的关键元件，提升电源转换效率。
4. 电机驱动：适用于小型直流电机的控制和驱动。
5. 背光驱动：为LED背光提供高效的驱动方案。
6. 信号切换：在数据通信和其他信号处理电路中用作信号切换元件。
凭借其卓越的性能，STN254050UL50H几乎可以满足所有需要低功耗和高效率的电力电子应用需求。
STN254050UL50T, STN254050UL50G
