4N26-M 时间：2025/8/25 7:28:28 阅读：8

4N26-M是一款常用的光电耦合器（Optocoupler），由Fairchild Semiconductor（现为ON Semiconductor）生产。该器件结合了一个红外发光二极管（LED）和一个光电晶体管，用于在电气隔离的情况下传输电信号。4N26-M广泛应用于工业控制、通信设备、电源管理以及各种需要电隔离的电子系统中。该器件采用6引脚DIP封装，具备良好的隔离性能和稳定的电气特性。

参数

工作温度范围：-55°C 至 +100°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　最大输入电流（IF）：60 mA
　　最大反向输入电压（VR）：3 V
　　最大输出电压（VCE）：30 V
　　最大集电极电流（IC）：150 mA
　　电流传输比（CTR）：20% - 400%（取决于测试条件）
　　响应时间：约10 μs（上升时间）和约10 μs（下降时间）
　　隔离电压：5000 VRMS
　　封装形式：6-Pin DIP

特性

4N26-M的核心特性之一是其光电耦合结构，包含一个砷化镓（GaAs）红外LED和一个硅光电晶体管。这种结构使得该器件能够在输入和输出之间实现高达5000 VRMS的电气隔离，从而有效防止高压干扰和噪声传播。该器件具有较高的电流传输比（CTR），可在20%至400%之间变化，这取决于具体的测试条件和工作电流。此外，4N26-M的工作温度范围较宽，从-55°C到+100°C，适用于各种环境条件下的应用。
　　由于其采用DIP封装，4N26-M易于焊接和安装，适用于通孔（Through-Hole）电路板设计。它具有良好的长期稳定性和可靠性，在工业控制和电源管理系统中表现出色。此外，该器件的响应时间在10微秒左右，适用于中速信号隔离应用，但不适合高速通信场合。
　　4N26-M的另一大特点是其低功耗特性。输入端只需要几毫安的电流即可驱动内部LED，而输出端则可以驱动较大的负载电流，最高可达150 mA。这使得该器件在低功耗控制系统中表现出良好的性能。

应用

4N26-M广泛应用于需要电气隔离的电子电路中，例如交流电源控制、马达控制、继电器驱动、工业自动化系统、测量仪器和通信设备等。在交流电源控制中，4N26-M常用于将微控制器或其他低压控制电路与高电压负载（如可控硅或继电器）隔离开来，以确保系统的安全性和稳定性。在工业自动化系统中，该器件用于隔离控制信号与高噪声环境，提高系统的抗干扰能力。此外，4N26-M也常用于电源管理模块中，作为反馈信号的隔离器件，确保主控电路与功率部分之间的电气隔离。
　　在通信设备中，4N26-M可以用于信号隔离和电平转换，确保不同电压域之间的安全通信。此外，该器件也广泛用于嵌入式系统和微控制器外围电路中，作为输入输出隔离器件，提高系统的可靠性和抗干扰能力。