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4N120 发布时间 时间:2025/12/27 9:06:16 查看 阅读:21

4N120是一款高压、高速的功率开关器件,属于绝缘栅双极型晶体管(IGBT)类别。该器件广泛应用于需要高电压阻断能力和高效能开关性能的电力电子系统中。4N120通常采用TO-247封装,具备良好的热传导性能和电气隔离能力,适用于工业电机驱动、感应加热、不间断电源(UPS)、逆变器以及开关电源等高功率应用场合。该型号的命名中,“120”通常表示其最大阻断电压为1200V,适合在高压直流母线系统中使用。4N120结合了MOSFET的高输入阻抗与双极型晶体管的低导通压降优势,使其在高频开关条件下仍能保持较低的导通损耗和较高的效率。此外,该器件具备一定的抗雪崩能力和短路耐受时间,提升了系统在异常工况下的可靠性。
  由于其高耐压特性,4N120常用于三相逆变电路中的桥臂开关元件,能够承受快速变化的电压和电流应力。制造商通常会在数据手册中提供详细的热阻参数、安全工作区(SOA)、开关时间以及栅极驱动要求,以指导用户进行合理的驱动电路设计和散热管理。在实际应用中,需配合合适的栅极驱动芯片(如HCPL-3120或M57962L等光耦驱动器)以确保稳定可靠的开关操作,并防止因误导通或电压振荡导致的器件损坏。

参数

类型:IGBT
  集电极-发射极击穿电压(BVCES):1200 V
  集电极电流(IC):20 A
  集电极峰值电流(ICM):40 A
  栅极-发射极电压(VGES):±20 V
  工作结温范围(Tj):-55 °C 至 +150 °C
  存储温度范围(Tstg):-55 °C 至 +150 °C
  导通饱和电压(VCE(sat)):典型值 2.0 V(在IC = 20 A, VGE = 15 V时)
  输入电容(Cies):约 1800 pF
  输出电容(Coes):约 100 pF
  反向恢复时间(trr):约 200 ns
  开关时间(ton/toff):典型值分别为 100 ns / 300 ns
  封装形式:TO-247

特性

4N120 IGBT具备出色的高压阻断能力,其集电极-发射极额定电压高达1200V,能够在高压直流母线系统中稳定运行,适用于600V以上母线电压的应用场景,例如太阳能逆变器、工业变频器和电焊机设备。该器件在高温环境下仍能保持良好的电气性能,最大工作结温可达150°C,配合有效的散热设计可长期稳定工作。其低导通压降特性显著降低了导通状态下的功率损耗,提高了系统整体效率。同时,该IGBT具有较快的开关速度,开关时间处于纳秒级别,有助于减少开关过程中的能量损耗,提升系统的工作频率上限。
  4N120还具备良好的抗噪声干扰能力,得益于其栅极结构设计,对dv/dt和di/dt瞬态具有较强的耐受性。在短路情况下,该器件能在限定时间内承受过流冲击而不发生永久性损坏,这一特性对于保护昂贵的功率模块和保障系统安全至关重要。其TO-247封装不仅提供了优良的热传导路径,还具备足够的爬电距离和电气间隙,增强了高压应用中的安全性。此外,该器件的输入电容较小,降低了对驱动电路的功率需求,使得使用低成本驱动芯片即可实现有效控制。综合来看,4N120在高电压、大电流和高效率需求的应用中表现出色,是现代电力电子系统中理想的开关器件之一。

应用

4N120广泛应用于各类高功率电力电子变换系统中。在工业领域,它常用于交流电机驱动器中的逆变桥臂,实现对三相异步电机的精确调速控制,适用于风机、水泵、传送带等设备的节能控制。在可再生能源系统中,该器件被用作光伏逆变器的核心开关元件,将太阳能电池板产生的直流电高效转换为符合电网标准的交流电。此外,在感应加热设备(如电磁炉、金属熔炼炉)中,4N120凭借其高频开关能力和高耐压特性,能够支持谐振变换器的稳定运行,提升加热效率。
  在不间断电源(UPS)系统中,4N120用于DC-AC逆变环节,确保市电中断时负载仍能获得持续稳定的交流电源。其快速响应能力和高可靠性使其成为UPS拓扑中的关键组件。在电焊机电源中,该IGBT用于构建斩波或全桥逆变电路,实现对焊接电流的精确调控。此外,4N120还可应用于高压直流电源、电动汽车充电模块以及电力牵引系统等领域。由于其具备良好的热稳定性和电气鲁棒性,即使在恶劣工作环境下也能保持长期可靠运行,因此受到工业电源设计工程师的广泛青睐。

替代型号

IRG4PH40UD-EP
  FGL40N120ANTD
  STGW20H120D
  SKW50N120
  MGW50N120E

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