型号：2SK1926
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：500 V
　　最大栅源电压（Vgs）：±30 V
　　连续漏极电流（Id）：7 A（Tc=25°C）
　　脉冲漏极电流（Idm）：28 A
　　功耗（Pd）：50 W
　　导通电阻（Rds(on)）：0.55 Ω（Max，Vgs=10V，Id=3.5A）
　　阈值电压（Vth）：2.0 ~ 4.0 V
　　输入电容（Ciss）：500 pF（Typ，Vds=25V，Vgs=0V，f=1MHz）
　　输出电容（Coss）：110 pF
　　反向传输电容（Crss）：10 pF
　　栅极电荷（Qg）：25 nC（Typ，Vds=400V，Id=3.5A）
　　工作结温范围（Tj）：-55 °C ~ +150 °C
　　存储温度范围（Tstg）：-55 °C ~ +150 °C
　　封装形式：TO-220

2SK1926具备多项关键特性，使其在功率MOSFET领域中表现出色。首先，其高达500V的漏源击穿电压使其能够安全地应用于高压开关电源系统中，如AC-DC适配器、离线式反激变换器等，有效防止在高压环境下发生击穿失效。其次，该器件具有较低的导通电阻（Rds(on)），典型值为0.55Ω，在额定工作电流下可显著降低导通损耗，提升整体能效，这对于追求高效率的绿色能源产品尤为重要。
　　此外，2SK1926采用了优化的硅基平面栅结构，确保了良好的栅极控制能力和稳定的开关特性。其输入电容和反向传输电容较小，有助于减少高频开关过程中的驱动损耗和电磁干扰（EMI），从而支持更高频率的操作，减小外围滤波元件的尺寸与成本。同时，该MOSFET具备较快的开关速度，上升时间和下降时间短，进一步提升了动态响应能力，适用于高频PWM控制场合。
　　另一个重要特性是其良好的热性能。TO-220封装不仅机械强度高，而且具备优良的散热能力，配合散热片使用时可有效将芯片结温控制在安全范围内，延长器件寿命。器件的工作结温可达+150°C，表明其在高温环境下仍能保持稳定运行，适用于工业级应用环境。
　　2SK1926还具备较强的抗雪崩能量能力，能够在意外出现的电压过冲或感性负载切换过程中吸收一定的能量而不致损坏，提高了系统的鲁棒性。此外，其栅源电压范围达±30V，提供了较大的驱动电压裕度，兼容多种驱动电路设计，包括光耦隔离驱动和专用MOSFET驱动IC。综合来看，这些特性使得2SK1926成为一款高性能、高可靠性的功率开关器件，广泛受到电源工程师的青睐。

2SK1926主要应用于各类中高功率开关电源系统中，尤其是在需要高效、稳定直流输出的场合。典型应用包括通用AC-DC开关电源适配器、电视和显示器的内置电源模块、LED照明驱动电源以及工业用DC-DC转换器。由于其具备500V的高耐压能力，该器件常被用作反激式（Flyback）或正激式（Forward）拓扑结构中的主开关管，在离线式电源设计中发挥核心作用。
　　在家电领域，2SK1926可用于空调、洗衣机、微波炉等设备的内部电源或电机控制电路中，实现对功率的精确控制。在通信设备中，它也常见于基站电源、路由器和交换机的供电单元中，保障系统持续稳定运行。
　　此外，该MOSFET还可用于UPS不间断电源、逆变器和太阳能充电控制器等新能源相关设备中，承担能量转换与调节任务。其快速开关特性和低导通损耗特别适合在PWM调制电路中使用，能够有效减少能量损耗并提升系统效率。
　　在测试仪器和医疗电子设备中，2SK1926因其高可靠性和低噪声特性也被选用作为精密电源的开关元件。总之，凭借其高耐压、低损耗、良好热稳定性和广泛的工作温度范围，2SK1926适用于几乎所有需要中等功率开关功能的电子系统，是一种通用性强且技术成熟的功率MOSFET解决方案。

2SK2038
　　2SK2547
　　K2544
　　IRFBC40
　　STP5NK50Z