电容值：2000pF (2nF)
　　额定电压：1000V
　　容差：±20%
　　介质材料：陶瓷
　　封装类型：径向引线封装
　　工作温度范围：-55°C至+125°C
　　绝缘电阻：≥10,000MΩ
　　损耗角正切（Tanδ）：≤0.025
　　温度系数：X7R

4MS1R202M7QE具有优异的电气特性和稳定性，适用于高电压和高频率环境。其X7R陶瓷介质提供了良好的温度稳定性，确保在宽温度范围内电容值的变化最小。这种电容器的多层结构设计减少了等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），从而提高了其在高频应用中的性能。
　　此外，4MS1R202M7QE具有较高的绝缘电阻和较低的损耗角正切，使其在高精度和高稳定性要求的应用中表现出色。其径向引线封装设计便于安装，并提供良好的机械稳定性，适用于自动化生产和手工焊接。
　　该电容器还具有较强的抗湿性和耐腐蚀性，能够在恶劣的环境条件下正常工作。其广泛的工作温度范围（-55°C至+125°C）使其适用于各种苛刻的工业和汽车应用。

4MS1R202M7QE主要应用于电力电子设备、工业自动化控制系统、通信设备、汽车电子系统以及高精度测量仪器。在这些应用中，该电容器可以用于滤波、去耦、储能和信号处理等关键功能。由于其高电压额定值和优异的稳定性，它特别适用于需要长期可靠性的高要求场景，如电源转换器、电机驱动器和高频放大器。

4MS1R202M7QE的替代型号包括EC4MS1R202M7QE、Kemet的C4MS1R202M7QE和TDK的C4MS1R202M7QE。这些替代型号在电气特性和封装尺寸上与4MS1R202M7QE相似，可以在大多数应用中互换使用。