产品类型：肖特基二极管
　　配置：单个
　　拓扑结构：SOD-323
　　最大重复反向电压（VRRM）：30V
　　最大直流反向电压（VR）：30V
　　最大正向平均电流（IF(AV)）：500mA
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：1A
　　最大正向电压（VF）：450mV @ 300mA
　　最大反向漏电流（IR）：100μA @ 30V
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C ~ +150°C
　　热阻（RθJA）：350°C/W
　　封装/外壳：SC-76（SOD-323）
　　安装类型：表面贴装（SMD）

4AM03MH5-TL-E的核心优势在于其采用的肖特基势垒结构，这种结构通过金属-半导体结而非传统的PN结构实现整流功能，从而显著降低了正向导通电压。在典型工作条件下，其正向压降仅为450mV左右（在300mA时），这比传统硅二极管（通常为0.7V以上）更低，有助于减少功率损耗并提高系统效率。由于没有少数载流子的积累效应，该器件表现出极快的开关速度，反向恢复时间几乎可以忽略不计，非常适合用于高频开关电源和高速整流场合。
　　该二极管的最大平均正向电流为500mA，峰值浪涌电流可达1A，使其能够应对瞬态负载变化而不易损坏。其最大反向电压为30V，适用于低压电源系统中的续流、防反接和隔离应用。此外，器件具有较低的反向漏电流，在室温下不超过100μA，即使在高温环境下也能保持相对稳定的漏电水平，确保系统长期运行的可靠性。
　　封装方面，4AM03MH5-TL-E采用SC-76（即SOD-323）小型表面贴装封装，尺寸紧凑（约1.7mm x 1.25mm x 1.1mm），非常适合空间受限的应用场景，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等。该封装还具备良好的散热性能，结合合理的PCB布局设计，可在较高环境温度下正常工作。器件符合RoHS环保标准，并支持无铅回流焊工艺，满足现代电子产品对环保和制造兼容性的要求。
　　Toshiba在该系列二极管的制造过程中采用了高可靠性的芯片工艺和封装技术，确保产品在严苛的工作条件下仍能保持稳定性能。例如，在结温高达150°C的情况下，器件仍能维持额定电气参数，适用于工业级和汽车级应用场景。同时，该器件具有较强的抗静电能力（ESD保护性能良好），提升了在自动化生产过程中的良品率。

4AM03MH5-TL-E广泛应用于各类低电压、高效率的电源管理系统中。常见用途包括DC-DC转换器中的输出整流或续流二极管，特别是在同步整流难以实现的小功率场景下发挥重要作用。它也常用于便携式电子设备的电池充放电保护电路中，作为防反接或隔离二极管，防止电流倒灌损坏电源模块。此外，在AC-DC适配器、USB供电设备、LED驱动电源等消费类电子产品中，该二极管可用于提高整体转换效率并减小发热。
　　在通信设备中，4AM03MH5-TL-E可用于信号路径中的钳位或保护电路，利用其快速响应特性抑制瞬态电压尖峰。它也适用于各种嵌入式系统主板上的局部电源轨隔离，例如在CPU核心供电与I/O供电之间进行电压域分离。在汽车电子领域，尽管该器件并非专为AEC-Q101认证设计，但仍可用于非关键性的车载信息娱乐系统或辅助电源模块中。
　　由于其小型化封装和高频率特性，该二极管特别适合用于高频开关电源拓扑结构，如升压（Boost）、降压（Buck）和反激式（Flyback）转换器中，作为次级侧整流元件。在低噪声电源设计中，它可以有效减少开关噪声带来的干扰，提升电源质量。此外，该器件还可用于太阳能充电控制器、无线充电接收端电路以及物联网（IoT）节点设备的电源管理单元中，帮助延长电池寿命并提升能量利用率。

RB520S-40T1G, PMEG3050EP, B130WB-13-F, SS12-S, SK13