时间：2025/8/5 5:45:11
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GS9077-CNTE3 是一款由 GSI Technology 生产的高性能异步静态随机存取存储器（ASRAM）芯片。该器件主要面向需要高速读写操作和低功耗设计的应用场景，适用于通信设备、工业控制、网络设备和消费类电子产品。GS9077-CNTE3 采用先进的CMOS技术制造，提供高速访问时间，同时保持较低的功耗，是许多嵌入式系统和数据缓存应用的理想选择。
类型：静态随机存取存储器（SRAM）
容量：128K x 16
封装类型：TSOP
引脚数：54
电源电压：3.3V
工作温度范围：工业级 (-40°C 至 +85°C)
访问时间：约7.5ns
读取电流：典型值100mA
待机电流：最大值10mA
接口类型：并行接口
读写操作：异步读写
GS9077-CNTE3 是一款高性能的异步SRAM芯片，具有出色的读写速度和稳定性。其高速访问时间（约7.5ns）使其适用于对响应时间要求较高的系统。该芯片采用CMOS技术，确保在高速操作下仍能保持较低的功耗。此外，GS9077-CNTE3 支持宽温度范围（-40°C 至 +85°C），适用于工业环境下的稳定运行。该器件的待机电流极低，有助于在低功耗应用场景中延长设备的使用寿命。54引脚TSOP封装设计使其便于安装和集成到各种PCB布局中，同时提高了空间利用率。GS9077-CNTE3 提供了可靠的存储解决方案，适用于需要高速缓存、数据缓冲和临时数据存储的系统。
GS9077-CNTE3 广泛应用于需要高速数据存取的电子系统中。常见应用场景包括工业控制设备中的临时数据缓存、通信设备中的数据缓冲存储、网络设备的高速缓存、测试仪器中的数据存储模块，以及消费类电子产品中的临时存储单元。其低功耗与高速特性也使其适用于电池供电设备和嵌入式系统。
CY7C1041BGE30-8VC
IDT71V416SA12PFG
IS61LV1024-10B4I
