时间：2025/7/23 9:47:26
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49LF004B33-4C-WHE 是由 Alliance Memory 公司生产的一款 4Mbit (512K x 8) 的快速 CMOS 静态随机存取存储器 (SRAM)。这款芯片采用先进的 CMOS 技术，具有高速读取时间和低功耗的特点，适用于需要高性能和低功耗的系统应用。该SRAM的额定工作电压为3.3V，适合工业标准的512K x 8 SRAM应用。封装形式为 44-TSOP（薄型小外形封装），适合高密度系统设计。
容量：4Mbit (512K x 8)
组织结构：512K x 8
电源电压：3.3V
最大访问时间：45ns、55ns、70ns（根据型号后缀不同）
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装类型：44-TSOP
引脚数量：44
封装宽度：400mil
封装厚度：1.2mm
封装材料：塑料
接口类型：并行
最大读取电流：150mA（典型值）
待机电流：10mA（典型值）
49LF004B33-4C-WHE 具有多个关键特性，使其成为高性能系统设计的理想选择。首先，该芯片具有高速访问时间，分别为45ns、55ns和70ns，适用于需要快速数据存取的应用场景。其次，该SRAM采用低功耗CMOS技术，在保持高性能的同时有效降低功耗，适用于对能耗敏感的设计。此外，其工作温度范围为-40°C至+85°C，符合工业级温度标准，适用于各种严苛环境条件。该芯片的44-TSOP封装形式不仅节省空间，还提供了良好的散热性能，确保芯片在高密度PCB布局中的可靠性。最后，49LF004B33-4C-WHE支持标准的并行接口，便于与多种主控设备连接，提高了设计的灵活性和兼容性。
49LF004B33-4C-WHE 适用于多种需要高速、低功耗SRAM的系统设计。典型应用包括网络设备、通信基础设施、工业控制系统、测试测量设备、图像处理模块以及嵌入式系统中的缓存或临时数据存储。由于其高速访问时间和低功耗特性，这款SRAM也常用于需要快速数据处理和临时存储的场合，例如缓冲区管理、高速缓存以及实时控制系统的数据暂存。
AS7C34098A-45BCTR、CY62148EAVTA167、IS61LV25616-10B4BLI
