STGD6M65DF2 时间：2025/5/23 18:03:19 阅读：29

STGD6M65DF2是由意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款硅基氮化镓（GaN）场效应晶体管（e-Mode GaN FET）。该器件采用DFN8 3x3封装，具有高效率、高频开关性能和低导通电阻的特点。它适用于各种功率转换应用，例如适配器、充电器、LED驱动器和电源管理等。这种GaN FET的高效性能使其成为传统硅MOSFET的理想替代品。
　　作为增强型GaN晶体管，STGD6M65DF2能够在高频条件下保持较低的开关损耗，并且具备出色的热性能和耐用性。其设计结合了先进的GaN技术与优化的封装工艺，确保在紧凑空间内提供卓越的电气性能。

参数

最大漏源电压：650V
　　连续漏极电流：6.4A
　　导通电阻（典型值）：160mΩ
　　栅极电荷（Qg）：35nC
　　输入电容（Ciss）：1780pF
　　输出电容（Coss）：50pF
　　反向传输电容（Crss）：12pF
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C

特性

STGD6M65DF2具有以下显著特性：
　　1. 高击穿电压（650V），适合高压应用场景。
　　2. 极低的导通电阻（Rds(on)为160mΩ），有助于减少传导损耗并提高效率。
　　3. 快速开关能力，可支持高达数MHz的工作频率，从而缩小磁性元件和滤波器的尺寸。
　　4. 内置ESD保护功能，增强系统可靠性。
　　5. 小型DFN8 3x3封装，节省PCB面积。
　　6. 符合RoHS标准，环保且满足全球法规要求。
　　7. 热性能优异，能够承受较高的功耗而不影响稳定性。
　　这些特性使得STGD6M65DF2非常适合用于高频DC-DC转换器、PFC升压电路以及其他对效率和尺寸有严格要求的电力电子应用。

应用

STGD6M65DF2广泛应用于以下领域：
　　1. USB-PD快充适配器和无线充电器中的功率级开关。
　　2. 高效LED驱动器，特别是在调光和恒流控制中发挥重要作用。
　　3. 工业电源和通信电源中的PFC电路及隔离式DC-DC转换器。
　　4. 消费类电子产品的电源管理系统。
　　5. 电动工具和其他便携式设备的电池充电解决方案。
　　6. 太阳能微型逆变器和其他分布式能源系统的功率调节模块。
　　由于其高频、高效和小型化的优点，这款GaN FET在需要紧凑设计和高性能表现的应用中具有明显优势。