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STGD6M65DF2 发布时间 时间:2025/5/23 18:03:19 查看 阅读:16

STGD6M65DF2是由意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款硅基氮化镓(GaN)场效应晶体管(e-Mode GaN FET)。该器件采用DFN8 3x3封装,具有高效率、高频开关性能和低导通电阻的特点。它适用于各种功率转换应用,例如适配器、充电器、LED驱动器和电源管理等。这种GaN FET的高效性能使其成为传统硅MOSFET的理想替代品。
  作为增强型GaN晶体管,STGD6M65DF2能够在高频条件下保持较低的开关损耗,并且具备出色的热性能和耐用性。其设计结合了先进的GaN技术与优化的封装工艺,确保在紧凑空间内提供卓越的电气性能。

参数

最大漏源电压:650V
  连续漏极电流:6.4A
  导通电阻(典型值):160mΩ
  栅极电荷(Qg):35nC
  输入电容(Ciss):1780pF
  输出电容(Coss):50pF
  反向传输电容(Crss):12pF
  工作结温范围:-55°C 至 +150°C

特性

STGD6M65DF2具有以下显著特性:
  1. 高击穿电压(650V),适合高压应用场景。
  2. 极低的导通电阻(Rds(on)为160mΩ),有助于减少传导损耗并提高效率。
  3. 快速开关能力,可支持高达数MHz的工作频率,从而缩小磁性元件和滤波器的尺寸。
  4. 内置ESD保护功能,增强系统可靠性。
  5. 小型DFN8 3x3封装,节省PCB面积。
  6. 符合RoHS标准,环保且满足全球法规要求。
  7. 热性能优异,能够承受较高的功耗而不影响稳定性。
  这些特性使得STGD6M65DF2非常适合用于高频DC-DC转换器、PFC升压电路以及其他对效率和尺寸有严格要求的电力电子应用。

应用

STGD6M65DF2广泛应用于以下领域:
  1. USB-PD快充适配器和无线充电器中的功率级开关。
  2. 高效LED驱动器,特别是在调光和恒流控制中发挥重要作用。
  3. 工业电源和通信电源中的PFC电路及隔离式DC-DC转换器。
  4. 消费类电子产品的电源管理系统。
  5. 电动工具和其他便携式设备的电池充电解决方案。
  6. 太阳能微型逆变器和其他分布式能源系统的功率调节模块。
  由于其高频、高效和小型化的优点,这款GaN FET在需要紧凑设计和高性能表现的应用中具有明显优势。

替代型号

STGBC6H65DF2
  STGD8M65DF2

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STGD6M65DF2参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥11.05000剪切带(CT)2,500 : ¥4.72463卷带(TR)
  • 系列M
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • IGBT 类型沟槽型场截止
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)650 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值)12 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm)24 A
  • 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)(最大值)2V @ 15V,6A
  • 功率 - 最大值88 W
  • 开关能量36μJ(开),200μJ(关)
  • 输入类型标准
  • 栅极电荷21.2 nC
  • 25°C 时 Td(开/关)值15ns/90ns
  • 测试条件400V,6A,22 欧姆,15V
  • 反向恢复时间 (trr)140 ns
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
  • 供应商器件封装DPAK