STGD6M65DF2是由意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款硅基氮化镓(GaN)场效应晶体管(e-Mode GaN FET)。该器件采用DFN8 3x3封装,具有高效率、高频开关性能和低导通电阻的特点。它适用于各种功率转换应用,例如适配器、充电器、LED驱动器和电源管理等。这种GaN FET的高效性能使其成为传统硅MOSFET的理想替代品。
作为增强型GaN晶体管,STGD6M65DF2能够在高频条件下保持较低的开关损耗,并且具备出色的热性能和耐用性。其设计结合了先进的GaN技术与优化的封装工艺,确保在紧凑空间内提供卓越的电气性能。
最大漏源电压:650V
连续漏极电流:6.4A
导通电阻(典型值):160mΩ
栅极电荷(Qg):35nC
输入电容(Ciss):1780pF
输出电容(Coss):50pF
反向传输电容(Crss):12pF
工作结温范围:-55°C 至 +150°C
STGD6M65DF2具有以下显著特性:
1. 高击穿电压(650V),适合高压应用场景。
2. 极低的导通电阻(Rds(on)为160mΩ),有助于减少传导损耗并提高效率。
3. 快速开关能力,可支持高达数MHz的工作频率,从而缩小磁性元件和滤波器的尺寸。
4. 内置ESD保护功能,增强系统可靠性。
5. 小型DFN8 3x3封装,节省PCB面积。
6. 符合RoHS标准,环保且满足全球法规要求。
7. 热性能优异,能够承受较高的功耗而不影响稳定性。
这些特性使得STGD6M65DF2非常适合用于高频DC-DC转换器、PFC升压电路以及其他对效率和尺寸有严格要求的电力电子应用。
STGD6M65DF2广泛应用于以下领域:
1. USB-PD快充适配器和无线充电器中的功率级开关。
2. 高效LED驱动器,特别是在调光和恒流控制中发挥重要作用。
3. 工业电源和通信电源中的PFC电路及隔离式DC-DC转换器。
4. 消费类电子产品的电源管理系统。
5. 电动工具和其他便携式设备的电池充电解决方案。
6. 太阳能微型逆变器和其他分布式能源系统的功率调节模块。
由于其高频、高效和小型化的优点,这款GaN FET在需要紧凑设计和高性能表现的应用中具有明显优势。
STGBC6H65DF2
STGD8M65DF2