4931C33 是一款由 Vishay Siliconix 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET,广泛应用于电源管理和功率转换领域。这款器件设计用于高效能、低导通电阻和快速开关性能。它采用 TO-220 封装,适用于多种高功率应用场景。
类型:N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压 Vds:60V
栅源电压 Vgs:±20V
连续漏极电流 Id:110A
导通电阻 Rds(on):2.7mΩ(最大值)
功耗(Pd):200W
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
4931C33 MOSFET 具备极低的导通电阻,使其在高电流应用中具有较低的功率损耗和发热。其高栅极电荷特性使其适用于高频开关应用,提高整体系统效率。此外,该器件具备良好的热稳定性,能够在高温环境下可靠运行。该 MOSFET 的封装设计使其易于安装和散热管理,适用于各种电源拓扑结构,如同步整流器、DC-DC 转换器和电机驱动器。
该器件的栅极驱动电压范围宽,支持常见的 10V 和 4.5V 驱动电压,兼容多种控制器和驱动器 IC。其反向恢复特性良好,适用于桥式电路等复杂应用。同时,4931C33 提供了过热和过流保护功能,有助于提高系统的稳定性和寿命。
4931C33 主要用于高功率 DC-DC 转换器、同步整流器、电机控制器、电源管理系统以及电池供电设备。它也适用于工业自动化设备、汽车电子系统、太阳能逆变器和不间断电源(UPS)等高可靠性要求的领域。此外,该器件也可用于音频放大器和开关电源设计中,以提高系统的能效和稳定性。
IRF1404, Si4410DY, FDP6670, AO4404