4931C33 时间：2025/7/22 6:06:33 阅读：6

4931C33 是一款由 Vishay Siliconix 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于电源管理和功率转换领域。这款器件设计用于高效能、低导通电阻和快速开关性能。它采用 TO-220 封装，适用于多种高功率应用场景。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压 Vds：60V
　　栅源电压 Vgs：±20V
　　连续漏极电流 Id：110A
　　导通电阻 Rds(on)：2.7mΩ（最大值）
　　功耗（Pd）：200W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C

特性

4931C33 MOSFET 具备极低的导通电阻，使其在高电流应用中具有较低的功率损耗和发热。其高栅极电荷特性使其适用于高频开关应用，提高整体系统效率。此外，该器件具备良好的热稳定性，能够在高温环境下可靠运行。该 MOSFET 的封装设计使其易于安装和散热管理，适用于各种电源拓扑结构，如同步整流器、DC-DC 转换器和电机驱动器。
　　该器件的栅极驱动电压范围宽，支持常见的 10V 和 4.5V 驱动电压，兼容多种控制器和驱动器 IC。其反向恢复特性良好，适用于桥式电路等复杂应用。同时，4931C33 提供了过热和过流保护功能，有助于提高系统的稳定性和寿命。