时间:2025/12/26 20:30:12
阅读:19
47CTQ020STRRPBF是一款由ON Semiconductor生产的肖特基势垒二极管(Schottky Barrier Diode),专为高效率、高频率的电源转换应用设计。该器件采用双共阴极(Common Cathode)配置,内部集成了两个独立的肖特基二极管,共享一个阴极连接,这种结构特别适用于中心抽头式输出整流电路,例如在同步降压变换器或DC-DC转换器的次级侧整流中。其主要优势在于低正向压降和快速反向恢复特性,能够显著降低导通损耗和开关损耗,从而提高整体系统效率。
该器件封装为TO-277(D-Pak),具有良好的热性能和机械稳定性,适合表面贴装技术(SMT)自动化生产。Pb-Free(无铅)和RoHS合规的设计使其符合现代环保标准,适用于消费电子、工业电源、通信设备和绿色能源系统等对可靠性和能效要求较高的应用场景。47CTQ020STRRPBF的命名中,“47”代表系列型号,“CTQ”表示肖特基二极管阵列,“020”表示单个二极管的额定平均整流电流为20A,“STRR”表示表面贴装、卷带包装,“PBF”表示无铅产品。
类型:肖特基势垒二极管
配置:双共阴极
最大重复反向电压(VRRM):45V
最大直流阻断电压(VR):45V
最大平均整流电流(Io):20A
峰值正向浪涌电流(IFSM):150A(8.3ms半正弦波)
最大正向压降(VF):0.57V @ 10A, Tc=125°C
最大反向漏电流(IR):2.0mA @ 45V, Tc=125°C
工作结温范围(TJ):-65°C 至 +175°C
存储温度范围(TSTG):-65°C 至 +175°C
封装:TO-277(D-Pak)
安装方式:表面贴装(SMD)
引脚数:3
热阻(RθJC):1.5°C/W(典型)
47CTQ020STRRPBF的核心特性之一是其极低的正向导通压降,这得益于其采用的高性能肖特基势垒技术。在10A电流和125°C壳温条件下,其典型正向压降仅为0.57V,远低于传统硅PN结二极管的0.7V~1.2V范围。这一特性显著降低了导通过程中的功率损耗(P = VF × IF),尤其在大电流输出的应用中,能够有效提升电源转换效率并减少散热需求。此外,由于肖特基二极管是多数载流子器件,不存在少数载流子的存储效应,因此具备极快的开关速度和几乎可以忽略的反向恢复时间(trr)。这一点在高频开关电源中至关重要,可大幅减少开关过程中的能量损耗和电磁干扰(EMI),从而支持更高的开关频率和更紧凑的磁性元件设计。
该器件的双共阴极结构优化了PCB布局布线,减少了寄生电感和热阻,提升了系统的电气性能和可靠性。每个二极管可独立工作,适用于多相整流或并联使用以提高电流能力。其宽泛的工作结温范围(-65°C至+175°C)确保了在极端环境下的稳定运行,即使在高温工业环境中也能保持良好性能。TO-277封装不仅体积小巧,还具备优异的热传导能力,通过底部散热焊盘可将热量高效传递至PCB,进一步增强散热效果。器件符合AEC-Q101汽车级可靠性标准,具备高抗湿性、耐焊接热冲击和长期稳定性,适用于严苛工况下的应用。此外,无铅和符合RoHS指令的设计使其满足全球环保法规要求,适用于出口型电子产品和绿色能源项目。
47CTQ020STRRPBF广泛应用于需要高效率、高功率密度的电源系统中。典型应用场景包括服务器和通信设备的DC-DC转换器,特别是在低压大电流输出的同步整流架构中,作为次级侧整流元件使用。其低VF和快速响应特性使其成为替代传统MOSFET同步整流的理想选择,尤其是在轻载或瞬态负载条件下仍能保持高效率。此外,该器件也常用于笔记本电脑、台式机和显卡的VRM(电压调节模块)中,用于实现稳定的CPU/GPU供电。
在工业电源领域,它可用于PLC、变频器和UPS不间断电源中的辅助电源整流与续流功能。太阳能逆变器和电动汽车车载充电机(OBC)等新能源系统中,47CTQ020STRRPBF可用于电池管理电路和DC-DC升压/降压拓扑中的防反接和能量回馈路径。由于其高浪涌电流承受能力(150A),该器件还能应对冷启动或短时过载情况下的电流冲击,保障系统安全。消费类电子产品如大功率LED驱动、游戏主机电源模块也常采用此类高性能肖特基二极管以提升能效等级。此外,该器件适用于所有需要中心抽头整流结构的全波整流电路,特别是在空间受限但功率要求高的紧凑型电源设计中表现出色。
MBRB20H45CT