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450LSU6800M90X141 发布时间 时间:2025/9/8 21:38:33 查看 阅读:6

450LSU6800M90X141 是一款由 Micron Technology 生产的 DRAM(动态随机存取存储器)芯片。这款存储器芯片设计用于高性能计算和工业应用,提供较大的存储容量和快速的数据访问速度。该芯片采用先进的半导体制造工艺,确保其在高速运行下的稳定性和可靠性。

参数

容量:64Mbit
  数据速率:166MHz
  组织结构:x16
  工作电压:2.3V - 3.6V
  封装类型:TSOP
  引脚数:54
  温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)

特性

450LSU6800M90X141 的高速数据访问能力使其适用于需要快速数据处理的应用场景。该芯片采用低功耗设计,能够在提供高性能的同时降低能耗,延长设备的使用寿命。其TSOP封装设计使得芯片在电路板上的安装更加稳固,适用于对空间要求较高的工业设备。此外,这款DRAM芯片支持宽电压范围供电,增强了其在不同电源环境下的兼容性。
  为了保证数据的完整性,该芯片具备良好的噪声抑制能力和数据稳定性,即使在高频率操作下也能保持较低的误码率。工业级温度范围使其能够在严苛的环境中稳定运行,适用于工业自动化、通信设备、嵌入式系统等。

应用

该芯片广泛应用于工业控制系统、网络设备、存储模块、通信基站、视频监控系统以及高端消费电子产品。其高性能和低功耗特性使其成为嵌入式系统和便携式设备的理想选择。

替代型号

450LSU6800M90X141的替代型号包括:450LSU6800M90X142、450LSU6800M90X143、450LSU6800M90X144

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450LSU6800M90X141参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格10 : ¥882.21700散装
  • 系列LSU
  • 包装散装
  • 产品状态在售
  • 电容6800 μF
  • 容差±20%
  • 电压 - 额定450 V
  • ESR(等效串联电阻)-
  • 不同温度时使用寿命85°C 时为 5000 小时
  • 工作温度-25°C ~ 85°C
  • 极化极化
  • 等级-
  • 应用通用
  • 不同低频时纹波电流21 A @ 120 Hz
  • 不同高频时纹波电流27.3 A @ 10 kHz
  • 阻抗-
  • 引线间距1.236"(31.40mm)
  • 大小 / 尺寸3.543" 直径(90.00mm)
  • 高度 - 安装(最大值)5.669"(144.00mm)
  • 表面贴装焊盘尺寸-
  • 安装类型底座安装
  • 封装/外壳径向,Can - 螺丝端子