LTL2P3VAKNT 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的双极性晶体管(BJT)阵列器件,属于小信号晶体管系列。该器件包含两个独立的 NPN 晶体管,采用 6 引脚 SOT-236 封装,适用于需要高集成度和节省 PCB 空间的中低功率应用。LTL2P3VAKNT 的设计确保了良好的热稳定性和电气特性,适合用于信号放大、开关控制以及通用模拟电路设计。
晶体管类型:双 NPN
集电极-发射极电压(VCEO):300V
集电极电流(IC):100mA
功率耗散(PD):300mW
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装类型:SOT-236(6 引脚)
LTL2P3VAKNT 具备优异的电气性能和稳定性,其主要特点包括低饱和电压、高电流增益(hFE)以及良好的频率响应。由于其双晶体管封装结构,可以在同一封装中实现两个独立的放大或开关电路,从而减少电路板空间并提高设计灵活性。此外,该器件的高击穿电压(VCEO 为 300V)使其适用于高压开关和放大应用。晶体管之间具有良好的热耦合特性,有助于在并联使用时实现更均衡的电流分配。该器件还具有较低的漏电流特性,在高温环境下仍能保持良好的工作稳定性。
在电气特性方面,LTL2P3VAKNT 的 hFE 范围通常在 110 到 800 之间,具体数值取决于工作电流和配置方式。这使得该器件能够适应多种放大倍数需求。其最大集电极电流为 100mA,足以满足中低功率信号处理需求。同时,SOT-236 封装具备良好的散热性能,有助于在较高功率应用中保持稳定工作状态。由于其高频响应特性,LTL2P3VAKNT 也适用于射频信号放大或高速开关电路。
LTL2P3VAKNT 主要应用于信号放大、开关控制、电源管理、逻辑电平转换、LED 驱动、传感器接口电路、音频放大器前置级以及各种模拟和数字电路中的通用晶体管需求。由于其高压特性,它也适用于工业控制系统中的继电器驱动和高压开关电路。此外,在消费类电子产品、汽车电子、通信设备以及嵌入式系统中也广泛使用该器件。例如,在微控制器外围电路中,LTL2P3VAKNT 可用于驱动 MOSFET 栅极或作为缓冲放大器。在工业自动化系统中,它可以用于实现信号隔离和电平转换功能。在电源转换器设计中,该器件也可用于实现反馈控制电路或辅助电源开关功能。
BCV26, BC846, 2N3904, MMBT3904, SMBT3904