类型：PIN二极管
　　封装/外壳：SOD-323
　　最大直流反向电压（VR）：25V
　　最大平均整流电流（IO）：200mA
　　最大正向电压（VF）：1.1V @ 10mA
　　最大反向漏电流（IR）：1μA @ 25V
　　结电容（Cj）：0.7pF @ 1MHz, 4V
　　反向恢复时间（trr）：4ns
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围：-65℃ ~ +150℃
　　峰值脉冲电流（IFSM）：1A
　　热阻抗（RθJA）：350K/W

441M-25LF的核心特性之一是其低结电容，典型值仅为0.7pF，在1MHz测试条件下测得，这使得该二极管在高频信号处理中表现出色，能够有效减少对射频信号的插入损耗，提升系统整体性能。这一特性使其非常适合用于高频开关和调谐电路中，尤其是在GHz频段的应用场景下，例如蜂窝通信、无线局域网和卫星导航系统。其低电容还保证了在高频环境下仍能维持较高的Q值，从而提高滤波器或匹配网络的选择性与效率。
　　另一个显著特点是其快速的反向恢复时间，典型值为4ns。这意味着在开关过程中，载流子能够迅速复合，减少开关延迟和能量损耗，从而实现高效的高速切换操作。这种快速响应能力对于需要频繁通断射频信号的开关电路至关重要，比如T/R（收发）开关或天线切换模块。同时，短的反向恢复时间也有助于降低电磁干扰（EMI），提升系统的电磁兼容性表现。
　　该器件采用SOD-323小型表面贴装封装，尺寸约为1.7mm x 1.25mm x 1.1mm，占用PCB面积小，非常适合高密度布局的便携式电子设备。其封装结构经过优化，具备良好的散热性能和机械强度，能够在振动、冲击等恶劣环境中保持稳定工作。此外，器件的正向导通压降较低（最大1.1V @ 10mA），有助于降低功耗，延长电池供电设备的续航时间。
　　441M-25LF具有高达25V的最大反向重复电压，可在中等电压条件下安全运行，适用于多种电源轨配置下的保护电路设计。其反向漏电流极低（≤1μA @ 25V），即使在高温环境下也能保持良好的关断特性，确保信号路径的有效隔离。综合这些电气与物理特性，441M-25LF成为高性能射频前端设计中的理想选择。

441M-25LF广泛应用于各类高频模拟和射频电路中。在无线通信领域，它常被用作射频开关中的控制元件，实现发射与接收通道之间的快速切换，常见于手机、平板电脑和无线接入点设备中的RF前端模块。由于其低电容和快速开关特性，该二极管可用于构建高性能的可变衰减器电路，通过调节偏置电流来改变PIN二极管的电阻值，从而精确控制信号强度，满足自动增益控制（AGC）需求。
　　在天线调谐系统中，441M-25LF可用于阻抗匹配网络的动态调整，帮助多频段移动设备在不同通信标准（如GSM、WCDMA、LTE、5G NR）之间高效切换，提升信号接收灵敏度和发射效率。此外，该器件还可用于瞬态电压抑制和静电放电（ESD）保护电路中，利用其快速响应能力和高耐压特性，防止敏感射频组件因过压事件而损坏。
　　在测试测量仪器和射频识别（RFID）系统中，441M-25LF也发挥着重要作用。例如，在矢量网络分析仪或频谱仪的输入保护电路中，它可以作为限幅器使用，防止大信号损坏内部低噪声放大器。在UHF RFID读写器中，该二极管可用于双工器或隔离电路的设计，确保发射信号不会干扰接收路径。此外，由于其符合无铅和RoHS标准，441M-25LF适用于出口型消费类电子产品和工业级设备的批量生产。

BAR64-02V