型号：CR20F-8
　　极性：N沟道
　　漏源电压VDS：20V
　　连续漏极电流ID：17A（@TC=25°C）
　　脉冲漏极电流IDM：68A
　　栅源电压VGS：±12V
　　导通电阻RDS(on)：5.5mΩ（@VGS=10V）
　　导通电阻RDS(on)：6.8mΩ（@VGS=4.5V）
　　阈值电压VGS(th)：1.0V ~ 2.3V（@ID=250μA）
　　输入电容Ciss：900pF（@VDS=10V）
　　输出电容Coss：350pF（@VDS=10V）
　　反向传输电容Crss：80pF（@VDS=10V）
　　总栅极电荷Qg：17nC（@VGS=10V, ID=8.5A）
　　开启延迟时间td(on)：10ns
　　上升时间tr：35ns
　　关断延迟时间td(off)：28ns
　　下降时间tf：18ns
　　最大工作结温Tj：150°C
　　封装类型：DPAK（TO-252）

CR20F-8采用先进的TrenchMOS工艺技术，这种结构能够有效降低导通电阻RDS(on)，从而减少导通状态下的功率损耗，提升整体能效。该器件在VGS=10V时的典型RDS(on)仅为5.5mΩ，在VGS=4.5V时也仅为6.8mΩ，表明其在低栅压驱动条件下依然具备良好的导通能力，适用于由逻辑电平信号直接驱动的应用场合。
　　该MOSFET具有较低的栅极电荷（Qg=17nC）和米勒电容（Crss=80pF），这使得其在高频开关应用中具有更快的开关速度和更低的驱动损耗，有助于提高电源系统的转换效率并减小外围驱动电路的设计复杂度。同时，其输入电容Ciss为900pF，输出电容Coss为350pF，这些参数优化了器件在硬开关和软开关拓扑中的性能表现。
　　CR20F-8具备优良的热性能，采用DPAK封装，具有较大的焊盘面积，便于通过PCB进行有效散热。该封装还具备较高的机械强度和可靠性，适合自动化贴装工艺，广泛应用于批量生产的电子产品中。
　　器件的最大漏源电压为20V，连续漏极电流可达17A，脉冲电流高达68A，适用于大电流瞬态负载场景。其阈值电压范围为1.0V至2.3V，确保了器件在不同温度和工艺偏差下的稳定开启特性。此外，该MOSFET支持快速开关操作，开启延迟时间为10ns，上升时间为35ns，关断延迟时间为28ns，下降时间为18ns，适用于高频DC-DC变换器、同步整流等应用。
　　CR20F-8还具备一定的抗雪崩能力，能够在短时过压或感性负载关断过程中吸收一定的能量，提高了系统在异常工况下的鲁棒性。综合来看，该器件在性能、可靠性和成本之间实现了良好平衡，是中小功率电源设计中的理想选择之一。

CR20F-8广泛应用于各类中低电压功率开关电路中。常见应用包括同步降压转换器（Buck Converter），其中作为下管MOSFET使用，利用其低RDS(on)和快速开关特性来提高转换效率；也可用于升压（Boost）和SEPIC等拓扑结构中作为主开关元件。
　　在便携式电子设备如笔记本电脑、平板电脑和移动电源中，CR20F-8可用于电池管理系统（BMS）中的充放电控制开关，实现高效的能量传递与保护功能。此外，在LED驱动电源中，该器件可用于恒流调节电路，确保LED稳定发光并延长使用寿命。
　　在电机驱动领域，CR20F-8可作为H桥电路中的低端开关，用于小型直流电机或步进电机的正反转控制。其高电流承载能力和快速响应特性使其能够应对电机启动和制动过程中的大电流冲击。
　　该器件也适用于各种消费类电子产品中的负载开关，例如USB电源开关、显示屏背光控制、音频放大器供电管理等。在工业控制系统中，CR20F-8可用于继电器替代方案或固态开关模块，实现无触点控制，提高系统寿命和可靠性。
　　此外，由于其具备良好的热稳定性和电气性能，CR20F-8还可用于汽车电子系统中的车身控制模块、车灯驱动、风扇控制等12V低压供电环境。总体而言，该器件适用于所有需要高效率、小体积、高可靠性的N沟道MOSFET开关的应用场景。

SI4404DY-T1-GE3
　　FDS6680A
　　AO4403