416A2GLI 时间：2025/12/28 17:27:11 阅读：9

416A2GLI是一款高压MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率和高压应用场景，例如电源转换、马达控制和工业自动化设备。该器件采用了先进的工艺技术，能够在较高的电压和电流条件下稳定工作。416A2GLI的设计使其具备较高的击穿电压和较低的导通电阻，从而提高了整体效率并减少了热损耗。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：600V
　　最大漏极电流(Id)：16A
　　导通电阻(Rds(on))：典型值0.22Ω
　　栅极电压(Vgs)：±20V
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-247

特性

416A2GLI的主要特性之一是其高耐压能力，漏源电压可达到600V，这使得它非常适合用于高电压电源系统中。此外，该器件具有较高的电流承载能力，最大漏极电流为16A，能够在较大负载条件下稳定运行。
　　另一个显著特点是其较低的导通电阻（Rds(on)），典型值为0.22Ω。这种低导通电阻有助于减少导通损耗，提高整体能效，并降低热生成，从而延长器件的使用寿命。此外，416A2GLI的栅极电压范围为±20V，使其在栅极驱动设计上更加灵活。
　　该器件的封装形式为TO-247，这种封装具有良好的散热性能，适合高功率应用。TO-247封装还提供了良好的机械稳定性和便于安装的特点，适合在工业环境和高振动环境下使用。
　　此外，416A2GLI具备较宽的工作温度范围，从-55°C到150°C，适用于各种严苛环境条件下的应用，如工业控制、电源供应器和马达驱动等。

应用

416A2GLI广泛应用于各种高功率和高压电子设备中。常见的应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC整流器以及电机控制电路。由于其高电压和电流能力，该器件也常用于工业自动化设备、电源管理系统和家用电器中的功率控制部分。
　　在电源管理应用中，416A2GLI可用于构建高效能的电源转换电路，如PFC（功率因数校正）电路，以提高能源利用效率。同时，该器件也适用于太阳能逆变器、UPS（不间断电源）系统等高可靠性要求的场合。