时间：2025/12/29 13:58:12
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40N120 是一款高压高功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），通常用于需要高电压和大电流的功率电子设备中。该器件具有较高的漏源电压（Vds）额定值，适用于电源转换器、电机控制、不间断电源（UPS）和工业自动化系统等应用。
型号：40N120
晶体管类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：1200V
最大漏极电流（Id）：40A（在25°C）
导通电阻（Rds(on)）：典型值约0.2Ω
栅极电压（Vgs）：±20V
最大功耗（Pd）：300W
工作温度范围：-55°C至150°C
40N120 MOSFET具备出色的开关性能和低导通电阻，使其在高电压应用中表现出色。该器件采用高压工艺制造，能够承受较大的电压应力，并在高频率下保持稳定运行。此外，40N120的封装设计优化了热管理和电气性能，有助于提高系统的可靠性和效率。该MOSFET还具备较高的耐用性和抗过载能力，适用于工业和电力电子领域。
其主要优势包括高效的功率转换、较低的开关损耗和较强的过热保护能力。这些特性使得40N120在电源转换器、变频器、逆变器和电机驱动系统中具有广泛的应用前景。
40N120 主要用于需要高压和高电流的电力电子系统中。常见应用包括AC-DC和DC-DC转换器、UPS（不间断电源）、太阳能逆变器、电机驱动器、工业控制系统和焊接设备。其高电压额定值和良好的热性能使其适用于要求苛刻的工业和电力电子环境。
IXFH40N120, IRGPC40K, FGL40N120
