40N06是一种常见的N沟道功率场效应晶体管(MOSFET),适用于多种开关和功率控制应用。它具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度的特点,广泛应用于电源转换、电机驱动以及负载切换等领域。
该器件采用TO-220封装形式,适合通过散热片进行高效散热,确保在高功率条件下稳定运行。
最大漏源电压:60V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:40A
脉冲漏极电流:100A
导通电阻:5mΩ(典型值,Vgs=10V时)
输入电容:830pF
总功耗:175W(带散热器时)
结温范围:-55℃至+150℃
40N06是一款高性能的功率MOSFET,其主要特性包括:
1. 高额定电流能力,支持高达40A的连续漏极电流,满足大功率应用需求。
2. 低导通电阻设计,降低了功率损耗并提高了效率。
3. 快速开关性能,能够适应高频工作环境。
4. 良好的热稳定性,在高温条件下依然保持优异的性能。
5. 具备较强的抗浪涌电流能力,适合于瞬态条件下的应用。
6. TO-220封装易于安装,并且与标准散热解决方案兼容。
40N06适用于以下场景:
1. 开关电源(SMPS)中的主开关或同步整流元件。
2. 电动工具、家用电器及工业设备中的电机驱动电路。
3. 负载切换模块,用于保护下游电路免受过流或短路的影响。
4. 太阳能逆变器以及其他可再生能源系统的功率转换组件。
5. 继电器替代方案,提供更可靠的固态开关功能。
IRFZ44N
STP40NF06
FDP5806