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40N06 发布时间 时间:2025/6/9 19:13:04 查看 阅读:5

40N06是一种常见的N沟道功率场效应晶体管(MOSFET),适用于多种开关和功率控制应用。它具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度的特点,广泛应用于电源转换、电机驱动以及负载切换等领域。
  该器件采用TO-220封装形式,适合通过散热片进行高效散热,确保在高功率条件下稳定运行。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:40A
  脉冲漏极电流:100A
  导通电阻:5mΩ(典型值,Vgs=10V时)
  输入电容:830pF
  总功耗:175W(带散热器时)
  结温范围:-55℃至+150℃

特性

40N06是一款高性能的功率MOSFET,其主要特性包括:
  1. 高额定电流能力,支持高达40A的连续漏极电流,满足大功率应用需求。
  2. 低导通电阻设计,降低了功率损耗并提高了效率。
  3. 快速开关性能,能够适应高频工作环境。
  4. 良好的热稳定性,在高温条件下依然保持优异的性能。
  5. 具备较强的抗浪涌电流能力,适合于瞬态条件下的应用。
  6. TO-220封装易于安装,并且与标准散热解决方案兼容。

应用

40N06适用于以下场景:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关或同步整流元件。
  2. 电动工具、家用电器及工业设备中的电机驱动电路。
  3. 负载切换模块,用于保护下游电路免受过流或短路的影响。
  4. 太阳能逆变器以及其他可再生能源系统的功率转换组件。
  5. 继电器替代方案,提供更可靠的固态开关功能。

替代型号

IRFZ44N
  STP40NF06
  FDP5806

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40N06参数

  • 现有数量0现货
  • 价格1 : ¥5.49000剪切带(CT)2,500 : ¥2.13026卷带(TR)
  • 系列UMW
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)60 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)50A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)18 毫欧 @ 30A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)50 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)2928 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)105W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装TO-252(DPAK)
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63