4055HST25R是一款基于氮化镓(GaN)技术的高性能功率晶体管,主要应用于高频开关电源、DC-DC转换器和无线充电设备等领域。该器件具有极低的导通电阻和快速的开关速度,能够在高频率下实现高效能表现。
其封装形式通常为TO-263或DFN8,能够提供出色的散热性能,同时支持表面贴装工艺,简化了制造流程。
最大漏源电压:100V
连续漏极电流:25A
导通电阻:1.2mΩ
栅极电荷:35nC
反向恢复时间:30ns
工作温度范围:-55℃至+175℃
4055HST25R采用了先进的氮化镓材料,具备以下显著特性:
1. 高效开关能力:得益于超低的导通电阻和快速的开关速度,该器件在高频应用中表现出卓越的效率。
2. 热稳定性强:其设计能够在高达175℃的工作温度下保持稳定运行,适用于高温环境下的应用。
3. 小型化设计:与传统硅基MOSFET相比,该器件体积更小,便于实现紧凑型电路布局。
4. 低电磁干扰:优化的开关特性减少了EMI噪声的产生,从而降低了对外部组件的需求。
5. 高可靠性:经过严格的测试和验证,确保在各种工况下具备可靠的性能表现。
该型号广泛应用于各类电力电子系统中,包括但不限于:
1. 高频DC-DC转换器:
在电动汽车和工业自动化领域中,用于高效的电压转换。
2. 开关电源(SMPS):
提供更高的功率密度和转换效率。
3. 无线充电模块:
实现快速无线充电功能,特别适合消费类电子产品。
4. LED驱动器:
为大功率LED照明系统提供精确的电流控制。
4055HST30R, 4055HST20R