401CNQ045PBF 时间：2025/12/26 20:27:45 阅读：14

401CNQ045PBF是一款由Vishay Semiconductors生产的N沟道功率MOSFET，采用TO-220AB封装。该器件专为高效率开关电源、电机控制和功率管理应用设计，具备低导通电阻和高电流处理能力，适用于工业控制、消费电子及电源转换系统等广泛领域。401CNQ045PBF符合RoHS环保标准，采用无铅（Pb-free）工艺制造，具有良好的热稳定性和可靠性，适合在严苛工作环境下运行。其栅极驱动电压兼容标准逻辑电平，便于与微控制器或驱动电路直接接口。该MOSFET在硬开关和软开关拓扑中均表现出优异性能，是现代高密度电源设计中的理想选择之一。

参数

型号：401CNQ045PBF
　　类型：MOSFET
　　极性：N沟道
　　漏源电压（VDS）：45 V
　　栅源电压（VGS）：±20 V
　　连续漏极电流（ID）：280 A
　　脉冲漏极电流（IDM）：1120 A
　　导通电阻（RDS(on)）：0.45 mΩ @ VGS = 10 V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.6 mΩ @ VGS = 4.5 V
　　阈值电压（VGS(th)）：2 V ~ 4 V
　　输入电容（Ciss）：13000 pF
　　输出电容（Coss）：3900 pF
　　反向恢复时间（trr）：45 ns
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装类型：TO-220AB
　　安装方式：通孔安装（Through Hole）
　　功率耗散（PD）：320 W

特性

401CNQ045PBF具有极低的导通电阻（RDS(on)），典型值仅为0.45毫欧姆，在VGS=10V条件下可显著降低导通损耗，提高系统整体效率。这一特性使其特别适用于大电流、低电压的应用场景，如DC-DC转换器、同步整流和电池管理系统。由于其超低RDS(on)，即使在高负载条件下也能保持较低的工作温升，有助于减少散热器尺寸或实现无风扇设计，提升系统紧凑性与可靠性。
　　该器件采用先进的沟槽技术（TrenchFET）制造，优化了载流子迁移路径，提升了单位面积的电流密度，从而实现了高达280A的连续漏极电流能力。这种高电流承载能力使其能够应对瞬态过载和启动冲击电流，适用于电机驱动、电动工具和电动车充电模块等对动态响应要求较高的场合。同时，其脉冲漏极电流可达1120A，表明其具备出色的短时过流承受能力，增强了系统的鲁棒性。
　　401CNQ045PBF的栅极电荷（Qg）较低，结合13000pF的输入电容，使得驱动功耗较小，适合高频开关操作。配合45ns的反向恢复时间，可有效减少开关过程中的能量损耗，提升开关电源的工作频率上限。此外，器件具备良好的热稳定性，最大结温达175°C，并采用高导热性的铜夹封装结构，确保热量快速传导至散热器，延长器件寿命。
　　TO-220AB封装形式提供了优良的机械强度和电气隔离性能，支持通孔安装，便于手工焊接与维修。该封装还具备较高的爬电距离和电气间隙，适用于工业级安全标准。整体无铅设计符合RoHS和REACH环保规范，适用于出口型电子产品和绿色能源项目。

应用

401CNQ045PBF广泛应用于高效开关电源（SMPS）、同步整流器、DC-DC降压/升压转换器、电池供电系统、电动工具电机驱动、光伏逆变器、UPS不间断电源以及工业电机控制等领域。其低导通电阻和高电流能力也使其成为大功率LED驱动、服务器电源模块和电动汽车辅助电源系统的优选器件。此外，适用于需要高可靠性和长寿命的工业自动化设备和通信基础设施电源设计。