IR2104S是一款由Infineon(英飞凌)生产的高端功率驱动芯片,主要用于驱动MOSFET和IGBT等功率器件。该芯片采用半桥驱动设计,支持高低边驱动,内置自举二极管,能够简化电路设计并提高效率。它广泛应用于开关电源、电机控制、逆变器以及各种工业控制领域。
IR2104S的核心特性在于其高侧驱动采用电平转换技术,允许直接与PWM信号配合使用,从而实现精确的时序控制。同时,芯片还具备欠压锁定(UVLO)、短路保护等功能,以增强系统的可靠性和安全性。
供电电压:10V~20V
最大输出电流:350mA
工作温度范围:-40℃~125℃
逻辑输入兼容性:CMOS/TTL
延迟时间:90ns
传播延迟匹配:典型值±50ns
封装形式:SOIC-8
IR2104S具有以下主要特性:
1. 高低边驱动能力:支持独立的高边和低边驱动,适用于半桥拓扑结构。
2. 内置自举二极管:减少外部元件数量,降低设计复杂度。
3. 优异的抗噪性能:通过内部优化设计,提高了对噪声干扰的抵抗能力。
4. 快速响应速度:较短的延迟时间和传播延迟匹配,确保了系统动态性能。
5. 安全保护功能:集成欠压锁定和短路保护机制,增强了驱动电路的稳定性。
6. 广泛的工作电压范围:支持10V到20V的宽电压输入,适应多种应用场景。
IR2104S常用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS):作为主控驱动芯片,用于驱动功率级MOSFET或IGBT。
2. 电机驱动:在无刷直流电机(BLDC)控制器中,驱动逆变桥臂。
3. 逆变器:用于太阳能逆变器或其他类型的电力转换设备。
4. 工业自动化:为各类工业控制系统中的功率模块提供驱动信号。
5. LED照明:驱动大功率LED灯串所需的升压/降压电路。
6. 其他需要高频开关的应用场景。
IR2104
IR2110
STMicroelectronics - STL6N8F07
Onsemi - NCV2104