400LSQ6800MNB77X151是一款高性能的存储器模块,专为高带宽和低延迟应用设计。该模块通常用于服务器、网络设备和高性能计算系统,提供大容量数据存储和快速数据访问能力。其设计基于先进的半导体技术和模块化架构,能够在高负载环境下保持稳定性能。
类型:DRAM模块
容量:64GB
频率:3200MHz
电压:1.2V
接口:DDR4
工作温度:0°C至85°C
封装:288针DIMM
400LSQ6800MNB77X151存储模块采用最新的DDR4技术,具备出色的能效比和稳定性。模块的3200MHz频率支持高速数据传输,显著提升系统整体性能。低电压设计(1.2V)不仅降低了功耗,还减少了热量生成,提高系统的可靠性。该模块支持ECC(错误校正码)功能,可自动检测并纠正数据错误,确保数据完整性。此外,其宽温范围(0°C至85°C)使其适用于各种严苛环境。
该模块还具备出色的兼容性,能够与多种主板和系统架构无缝集成,简化系统升级和维护流程。288针DIMM封装设计确保了良好的电气连接和机械稳定性,适用于高密度内存配置。模块还支持多种高级内存管理技术,如地址奇偶校验和内存镜像,进一步增强系统稳定性和数据安全性。
400LSQ6800MNB77X151广泛应用于高性能计算(HPC)、企业级服务器、云计算基础设施、大型数据库系统以及网络存储设备。在这些应用中,它能够提供高效的数据处理能力和稳定的内存支持,满足对系统性能和可靠性的高要求。此外,该模块也适用于需要大内存容量的图形工作站和虚拟化环境。
Hynix HMA84GR7AFR4N-UH
Micron MTA18ASF4G72PZ-3G2B1
Samsung M393A4G40DB0-CTD