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400LSQ6800MNB77X151 发布时间 时间:2025/9/7 20:01:16 查看 阅读:26

400LSQ6800MNB77X151是一款高性能的存储器模块,专为高带宽和低延迟应用设计。该模块通常用于服务器、网络设备和高性能计算系统,提供大容量数据存储和快速数据访问能力。其设计基于先进的半导体技术和模块化架构,能够在高负载环境下保持稳定性能。

参数

类型:DRAM模块
  容量:64GB
  频率:3200MHz
  电压:1.2V
  接口:DDR4
  工作温度:0°C至85°C
  封装:288针DIMM

特性

400LSQ6800MNB77X151存储模块采用最新的DDR4技术,具备出色的能效比和稳定性。模块的3200MHz频率支持高速数据传输,显著提升系统整体性能。低电压设计(1.2V)不仅降低了功耗,还减少了热量生成,提高系统的可靠性。该模块支持ECC(错误校正码)功能,可自动检测并纠正数据错误,确保数据完整性。此外,其宽温范围(0°C至85°C)使其适用于各种严苛环境。
  该模块还具备出色的兼容性,能够与多种主板和系统架构无缝集成,简化系统升级和维护流程。288针DIMM封装设计确保了良好的电气连接和机械稳定性,适用于高密度内存配置。模块还支持多种高级内存管理技术,如地址奇偶校验和内存镜像,进一步增强系统稳定性和数据安全性。

应用

400LSQ6800MNB77X151广泛应用于高性能计算(HPC)、企业级服务器、云计算基础设施、大型数据库系统以及网络存储设备。在这些应用中,它能够提供高效的数据处理能力和稳定的内存支持,满足对系统性能和可靠性的高要求。此外,该模块也适用于需要大内存容量的图形工作站和虚拟化环境。

替代型号

Hynix HMA84GR7AFR4N-UH
  Micron MTA18ASF4G72PZ-3G2B1
  Samsung M393A4G40DB0-CTD

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400LSQ6800MNB77X151参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列LSQ
  • 包装散装
  • 产品状态停产
  • 电容6800 μF
  • 容差±20%
  • 电压 - 额定400 V
  • ESR(等效串联电阻)-
  • 不同温度时使用寿命85°C 时为 3000 小时
  • 工作温度-25°C ~ 85°C
  • 极化极化
  • 等级-
  • 应用通用
  • 不同低频时纹波电流17.5 A @ 120 Hz
  • 不同高频时纹波电流20.65 A @ 10 kHz
  • 阻抗-
  • 引线间距1.236"(31.40mm)
  • 大小 / 尺寸3.032" 直径(77.00mm)
  • 高度 - 安装(最大值)6.063"(154.00mm)
  • 表面贴装焊盘尺寸-
  • 安装类型底座安装
  • 封装/外壳径向,Can - 螺丝端子