型号：400CE22FST
　　制造商：Vishay Siliconix
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：30 V
　　最大连续漏极电流（ID）：17 A（在TC = 25°C）
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：68 A
　　最大栅源电压（VGS）：±20 V
　　导通电阻RDS(on)：最大9.8 mΩ（在VGS = 10 V）
　　导通电阻RDS(on)：最大13 mΩ（在VGS = 4.5 V）
　　阈值电压（VGS(th)）：典型值2.0 V，范围1.5 V ~ 2.5 V
　　输入电容（Ciss）：典型值920 pF（在VDS = 15 V, VGS = 0 V）
　　输出电容（Coss）：典型值390 pF
　　反向恢复时间（trr）：典型值28 ns
　　工作结温范围（Tj）：-55 °C ~ +150 °C
　　封装类型：PowerPAK? SO-8

400CE22FST采用Vishay专有的TrenchFET?沟道技术，这种先进的制造工艺通过在硅基底上刻蚀深沟槽形成垂直导电通道，从而显著降低单位面积下的导通电阻。相比传统的平面型MOSFET，TrenchFET结构能在相同芯片尺寸下提供更高的载流子迁移率和更低的RDS(on)，这使得器件在大电流条件下仍能保持较低的功耗和温升。该器件在VGS = 10 V时的RDS(on)仅为9.8 mΩ，在VGS = 4.5 V时也仅为13 mΩ，表明其具备优异的低电压驱动能力，适合与3.3 V或5 V逻辑电平接口直接连接，无需额外的栅极驱动升压电路，简化了系统设计复杂度。此外，其低栅极电荷（Qg）和米勒电荷（Qgd）确保了快速的开关响应，减少了开关损耗，提高了整体电源转换效率。
　　该MOSFET的PowerPAK? SO-8封装是一种无引脚表面贴装封装，具有优异的热传导性能。封装底部设有大面积裸露焊盘，可通过PCB上的散热焊盘将热量迅速导出，有效降低热阻（RθJA），从而提升功率处理能力。与标准SO-8封装相比，PowerPAK?封装减少了封装本身的寄生电感，这对于高频开关应用尤为重要，因为它可以抑制电压尖峰和振铃现象，提高系统的EMI性能和可靠性。此外，该器件符合RoHS环保要求，并具备高抗浪涌电流能力，能够承受短时过载而不损坏。
　　400CE22FST还内置了体二极管，该二极管具有较快的反向恢复特性（trr ≈ 28 ns），适用于需要续流功能的拓扑结构如同步整流Buck或Boost电路。同时，其宽泛的工作结温范围（-55°C至+150°C）使其能够在恶劣环境温度下稳定运行，适用于工业级和汽车级应用场景。综合来看，400CE22FST是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET，特别适用于对效率、尺寸和热管理有严格要求的设计。

400CE22FST广泛应用于各类中等功率开关电源系统中，尤其是在需要高效率和小体积设计的场合。它常见于DC-DC降压（Buck）和升压（Boost）转换器中作为主开关或同步整流开关使用，能够有效降低导通损耗，提高整体能效。在便携式电子设备如笔记本电脑、平板电脑和移动电源中，该器件可用于电池充电管理电路中的充放电控制开关，利用其低RDS(on)特性减少发热，延长电池续航时间。此外，在服务器和通信设备的多相电压调节模块（VRM）中，多个400CE22FST并联使用可实现大电流输出的同时保持良好的热分布。
　　在电机驱动领域，该MOSFET可用于小型直流电机或步进电机的H桥驱动电路中，作为上下桥臂开关元件，凭借其快速开关能力和高电流承载能力，实现精确的速度和方向控制。在LED照明驱动电源中，400CE22FST也可作为主控开关用于恒流源设计，确保LED稳定发光。另外，由于其良好的热稳定性和可靠性，该器件也被用于工业自动化控制系统、PLC模块、电源分配单元（PDU）以及USB PD快充适配器等产品中。
　　值得一提的是，400CE22FST的逻辑电平兼容特性使其非常适合嵌入式系统中的负载开关应用，例如用于开启/关闭某个外设电源轨，防止启动冲击电流影响主系统稳定性。在热插拔电路设计中，它可以配合控制器实现软启动功能，保护后级电路免受电压突变损害。总体而言，该器件因其高性能和灵活性，已成为现代电力电子设计中不可或缺的关键组件之一。