时间：2025/12/27 17:24:12
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3SMBJ5930B-TP是一款由Diodes Incorporated生产的表面贴装硅瞬态电压抑制二极管（TVS），专为保护敏感电子设备免受瞬态电压事件的影响而设计。该器件采用高效散热的SMB（DO-214AA）封装，适用于需要高浪涌能力与紧凑尺寸相结合的应用场景。3SMBJ5930B-TP的标称击穿电压为16V，工作于单向击穿模式，能够在短时间内承受高达600W的峰值脉冲功率（按照8/20μs电流波形测试）。该TVS二极管在正常工作条件下呈现高阻抗状态，几乎不消耗系统功率；当出现过压事件（如雷击感应、电感负载切换或静电放电ESD）时，器件迅速响应（通常在皮秒级时间内），将电压箝位到安全水平，并将多余能量导至地线，从而保护后端电路。其低动态电阻和快速响应特性使其成为电源线、数据线和I/O接口保护的理想选择。此外，该器件符合RoHS环保标准，并具有无卤素选项，适合现代绿色电子产品制造要求。
类型：单向TVS二极管
封装：SMB（DO-214AA）
反向待机电压（VRWM）：16V
击穿电压（VBR）：最小17.8V，最大19.7V（测试电流IT=1mA）
钳位电压（VC）：28.2V（在IPP=2.13A时）
峰值脉冲功率（PPPM）：600W（8/20μs波形）
最大反向漏电流（IR）：5μA（在VRWM下）
工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
存储温度范围：-55°C 至 +150°C
3SMBJ5930B-TP具备卓越的瞬态电压抑制性能，其核心优势在于能够在高压瞬变事件中提供快速且可靠的保护。该器件采用先进的硅PN结技术，在电压超过其击穿阈值时迅速进入雪崩导通状态，实现从高阻抗到低阻抗的转变，响应时间极短，通常在纳秒级别内完成，足以应对ESD、EFT及雷击感应等突发性干扰。其600W的峰值脉冲功率处理能力使其能够承受严酷的电气环境考验，尤其适用于工业控制、通信接口和汽车电子等领域。
该TVS二极管具有非常低的动态内阻，这意味着在导通状态下其电压上升幅度较小，能有效限制箝位电压至28.2V以下，从而确保被保护器件不会因过压而损坏。同时，其最大反向漏电流仅为5μA，表明在正常工作电压下功耗极低，不会对系统造成额外负担，特别适合用于电池供电或低功耗系统中。
SMB封装形式不仅节省PCB空间，还提供了良好的热传导路径，有助于在大电流冲击期间有效散热，提升器件长期可靠性。该器件经过严格的质量认证，具备高重复性和稳定性，可在-55°C至+150°C的宽结温范围内稳定工作，适应极端温度环境下的应用需求。此外，产品通过AEC-Q101车规认证的可能性较高（需查证具体批次），进一步拓展了其在汽车电子中的适用性。
3SMBJ5930B-TP广泛应用于各类需要过压保护的电子系统中。常见用途包括直流电源线路保护，例如在开关电源输出端防止因负载突变或反接引起的电压尖峰；工业控制系统中的信号线和传感器接口防浪涌设计；通信设备中的RS-232、RS-485等接口保护；以及消费类电子产品中的USB端口、充电管理电路等ESD防护场景。
在汽车电子领域，该器件可用于车载信息娱乐系统、车身控制模块、LED照明驱动电路等部位，抵御来自电源波动或电磁干扰带来的瞬态威胁。此外，在可再生能源系统如太阳能逆变器中，也可用于保护控制电路免受电网侧传导干扰影响。由于其单向结构特性，特别适合用于正极性直流系统的保护，避免反向电压误触发问题。对于需要高可靠性和紧凑布局的设计方案而言，3SMBJ5930B-TP是一个性价比优异的保护元件选择。
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"SMBJ16A",
"P6KE16A",
"SMAJ16A"
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