GCQ1555C1H5R2WB01D 是一款高性能的射频功率放大器芯片,专为无线通信系统设计。该芯片采用先进的 GaN(氮化镓)工艺制造,具有高效率、高增益和宽频带的特点。它适用于蜂窝基站、无线回传和其他需要高输出功率的应用场景。
该器件内置了匹配网络,简化了外部电路设计,同时具备出色的线性度和稳定性,能够在苛刻的工作条件下保持优异的性能表现。
型号:GCQ1555C1H5R2WB01D
工作频率范围:3.3GHz 至 3.8GHz
输出功率:43dBm(典型值)
增益:15.5dB(典型值)
效率:52%(典型值,在 Pout=43dBm 时)
供电电压:28V
静态电流:1.2A(典型值)
封装形式:WLB(晶圆级封装)
工作温度范围:-40℃ 至 +85℃
GCQ1555C1H5R2WB01D 的主要特性包括:
1. 高效率输出,适合长时间运行且降低功耗需求。
2. 内置输入/输出匹配网络,减少外部元件使用并优化整体设计。
3. 支持宽带操作,能够覆盖多个频段应用。
4. 出色的线性度和稳定性,确保信号传输质量。
5. 小型化的 WLB 封装,节省 PCB 空间。
6. 在高温环境下仍能保持可靠性能,适应恶劣工作条件。
7. 提供良好的抗反射能力,避免负载变化对放大器的影响。
8. 符合 RoHS 标准,环保无铅设计。
GCQ1555C1H5R2WB01D 广泛应用于以下领域:
1. 蜂窝基站射频功率放大模块。
2. 无线回传设备中的中继放大功能。
3. 点对点微波通信系统的功率提升。
4. 工业物联网设备中的远程无线通信支持。
5. 军事或公共安全领域的专用通信设备。
6. 测试测量仪器中需要高功率射频源的场景。
GCQ1555C1H5R1WA01D, GCQ1555C1H5R3WB01D