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GCQ1555C1H5R2WB01D 发布时间 时间:2025/6/5 19:42:52 查看 阅读:6

GCQ1555C1H5R2WB01D 是一款高性能的射频功率放大器芯片,专为无线通信系统设计。该芯片采用先进的 GaN(氮化镓)工艺制造,具有高效率、高增益和宽频带的特点。它适用于蜂窝基站、无线回传和其他需要高输出功率的应用场景。
  该器件内置了匹配网络,简化了外部电路设计,同时具备出色的线性度和稳定性,能够在苛刻的工作条件下保持优异的性能表现。

参数

型号:GCQ1555C1H5R2WB01D
  工作频率范围:3.3GHz 至 3.8GHz
  输出功率:43dBm(典型值)
  增益:15.5dB(典型值)
  效率:52%(典型值,在 Pout=43dBm 时)
  供电电压:28V
  静态电流:1.2A(典型值)
  封装形式:WLB(晶圆级封装)
  工作温度范围:-40℃ 至 +85℃

特性

GCQ1555C1H5R2WB01D 的主要特性包括:
  1. 高效率输出,适合长时间运行且降低功耗需求。
  2. 内置输入/输出匹配网络,减少外部元件使用并优化整体设计。
  3. 支持宽带操作,能够覆盖多个频段应用。
  4. 出色的线性度和稳定性,确保信号传输质量。
  5. 小型化的 WLB 封装,节省 PCB 空间。
  6. 在高温环境下仍能保持可靠性能,适应恶劣工作条件。
  7. 提供良好的抗反射能力,避免负载变化对放大器的影响。
  8. 符合 RoHS 标准,环保无铅设计。

应用

GCQ1555C1H5R2WB01D 广泛应用于以下领域:
  1. 蜂窝基站射频功率放大模块。
  2. 无线回传设备中的中继放大功能。
  3. 点对点微波通信系统的功率提升。
  4. 工业物联网设备中的远程无线通信支持。
  5. 军事或公共安全领域的专用通信设备。
  6. 测试测量仪器中需要高功率射频源的场景。

替代型号

GCQ1555C1H5R1WA01D, GCQ1555C1H5R3WB01D

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GCQ1555C1H5R2WB01D参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格10,000 : ¥0.58840卷带(TR)
  • 系列GCQ
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容5.2 pF
  • 容差±0.05pF
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用RF,微波,高频,汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0402(1005 公制)
  • 大小 / 尺寸0.039" 长 x 0.020" 宽(1.00mm x 0.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.022"(0.55mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-