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3SK295ZQ-TL 发布时间 时间:2025/9/7 18:26:10 查看 阅读:6

3SK295ZQ-TL是一款由东芝(Toshiba)生产的N沟道功率MOSFET,主要用于高频率开关应用和功率放大器设计。这款MOSFET采用小型SOT-23封装,适用于需要高效能和小体积的应用场景。3SK295ZQ-TL具有低导通电阻(Rds(on))和快速开关特性,使其非常适合用于DC-DC转换器、负载开关和电池供电设备中的电源管理电路。该器件设计用于在高频率下工作,能够提供稳定的性能并减少能量损耗。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):20V
  栅源电压(Vgs):12V
  连续漏极电流(Id):100mA
  功耗(Pd):200mW
  工作温度范围:-55°C至150°C
  存储温度范围:-55°C至150°C
  封装类型:SOT-23

特性

3SK295ZQ-TL具备多项特性,使其在低电压和低电流应用中表现出色。首先,其低导通电阻(Rds(on))确保在导通状态下,漏源之间的电压降最小,从而减少功率损耗并提高整体效率。其次,该MOSFET具有快速开关能力,能够在高频率下工作,适用于高频开关电源和DC-DC转换器。此外,其SOT-23封装体积小,适合用于空间受限的设计中。
  该器件的栅极驱动电压相对较低,可以在3.3V至12V的范围内工作,这使其与多种控制电路兼容,包括微控制器和数字逻辑电路。由于其低电容特性,3SK295ZQ-TL在高频开关应用中表现出色,减少了开关损耗并提高了响应速度。
  另一个关键特性是其良好的热稳定性和可靠性。该MOSFET能够在较宽的温度范围内工作,并具有较高的热阻能力,从而在高温环境下仍能保持稳定运行。这使其适用于工业控制、便携式电子设备和消费类电子产品。

应用

3SK295ZQ-TL广泛应用于多个领域,尤其是在需要低功耗、高频率开关和小体积设计的场合。常见应用包括DC-DC转换器、LED驱动电路、负载开关、电池管理系统以及便携式电子设备的电源管理模块。由于其快速开关特性和低导通电阻,该MOSFET也常用于功率放大器和射频(RF)开关电路。
  在消费电子领域,3SK295ZQ-TL可用于智能手表、蓝牙耳机、智能手机和可穿戴设备中的电源管理部分。在工业自动化和物联网(IoT)设备中,该MOSFET被用于控制小型电机、传感器和执行器的电源开关。此外,它还适用于低功耗无线充电系统和电池供电的智能家居设备。

替代型号

2N7002, BSS138, 2N3904

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