类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大栅源电压（VGS）：20V
　　最大漏极电流（ID）：100mA（连续）
　　最大功耗（PD）：200mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SOT-23

3SK239AXRTL 具备多项优异的电气特性和可靠性，适用于各种中低功率电子系统。其低导通电阻（RDS(on)）在3.6V栅极驱动条件下能够确保高效的功率传输，同时降低导通损耗。由于采用了先进的沟槽式MOSFET技术，该器件在保持小型化的同时具备良好的热稳定性和高开关速度，非常适合高频开关应用。
　　此外，该MOSFET具有较强的抗静电能力，能够承受一定的过压和过流情况，从而提高系统的整体可靠性。SOT-23封装形式不仅节省空间，而且便于自动化装配，适合大批量生产应用。3SK239AXRTL 的低功耗特性使其在便携式设备和电池供电系统中表现出色，有助于延长设备的续航时间。

该器件广泛应用于各种电子设备和系统中，特别是在需要高效率和小尺寸设计的场景。典型应用包括负载开关、DC-DC转换器、LED驱动电路、电压调节模块、电池管理系统以及便携式电子设备的电源控制部分。此外，它还可用于信号切换、逻辑电路中的开关元件以及各种低功率放大器设计中。
　　在通信设备中，3SK239AXRTL 可用于射频前端模块的偏置控制或低噪声放大器的电源开关，以提高系统的整体能效和稳定性。在工业自动化和物联网（IoT）设备中，该MOSFET常用于控制传感器、执行器或无线模块的电源供应，实现智能化的能耗管理。

2N7002, BSS138, 2N3904