类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：100mA（最大值）
　　导通电阻（RDS(on)）：1.8Ω @ VGS=10V
　　阈值电压（VGS(th)）：1.0V～2.5V
　　工作温度范围：-55°C～150°C
　　封装形式：SOT-23

3SK238XW01TL MOSFET具有多项优异的电气特性和设计优势。其低导通电阻（RDS(on)）可显著降低在高电流工作状态下的功率损耗，提高系统效率。该器件的栅极驱动电压范围较宽（通常在4.5V至10V之间可完全导通），适用于多种驱动电路设计。
　　此外，该MOSFET具有良好的热稳定性和可靠性，能够在较高的温度环境下稳定运行。其SOT-23封装不仅节省空间，还便于自动化生产和表面贴装工艺。器件的开关速度快，适合用于高频开关电路，从而减小外部滤波元件的尺寸和整体系统体积。
　　3SK238XW01TL的低功耗特性使其非常适合用于电池供电设备，有助于延长设备的工作时间。同时，其静电放电（ESD）耐受能力较高，能够在一定程度上抵抗外部静电干扰，提高系统的稳定性。

3SK238XW01TL MOSFET主要应用于以下领域：便携式电子设备中的电源管理电路、低功耗DC-DC转换器、LED驱动电路、电池保护电路、逻辑电平驱动的负载开关、传感器接口电路以及各种低电压、低电流的开关控制应用。
　　由于其小尺寸封装和低功耗特性，该器件也常用于通信设备、工业控制模块、智能卡、医疗设备和消费类电子产品中。例如，在移动电话、平板电脑和穿戴设备中，3SK238XW01TL可用于控制不同功能模块的供电，以实现节能和高效管理。

2N7002, BSS138, 2N3904