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3SK229XS-TL 发布时间 时间:2025/9/7 12:17:51 查看 阅读:13

3SK229XS-TL 是一款由东芝(Toshiba)生产的场效应晶体管(MOSFET),主要用于高频和高速开关应用。这款MOSFET采用小型表面贴装封装(SOT-323),适用于便携式电子设备、无线通信设备以及其他需要高频率性能的电路设计。其主要特点是低导通电阻(Rds(on))、高开关速度以及适用于低电压应用。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏极电流(Id):100mA
  最大漏极-源极电压(Vds):12V
  最大栅极-源极电压(Vgs):±8V
  导通电阻(Rds(on)):最大1.2Ω(在Vgs=4.5V时)
  栅极电荷(Qg):5.5nC
  工作温度范围:-55°C至150°C
  封装类型:SOT-323

特性

3SK229XS-TL 具备优异的高频性能和快速开关能力,适合用于便携式电子产品和射频(RF)模块。其低导通电阻确保在低电压环境下仍能保持高效的功率传输。此外,该器件具有良好的热稳定性,可在高温环境下稳定运行。SOT-323封装设计使其适用于高密度电路板布局,同时具备良好的散热性能。该MOSFET在低栅极驱动电压下仍能保持良好的导通特性,适合用于电池供电系统和低功耗设计。
  该器件的结构设计优化了漏极电流与导通损耗之间的平衡,使其在小信号开关和逻辑电路中表现出色。由于其小型化封装和高可靠性,3SK229XS-TL 常用于无线通信设备、手持设备、DC-DC转换器以及逻辑电平转换器等应用领域。

应用

3SK229XS-TL MOSFET 广泛应用于便携式电子设备,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源管理和开关控制电路。它也常用于无线通信模块中的射频开关和低噪声放大器控制。此外,该器件适用于逻辑电平转换、LED驱动电路、低功耗传感器接口以及电池管理系统中的开关元件。

替代型号

Si2302DS-T1-GE3, 2N7002K-TL, FDV301N

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