时间：2025/9/7 12:17:51
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3SK229XS-TL 是一款由东芝（Toshiba）生产的场效应晶体管（MOSFET），主要用于高频和高速开关应用。这款MOSFET采用小型表面贴装封装（SOT-323），适用于便携式电子设备、无线通信设备以及其他需要高频率性能的电路设计。其主要特点是低导通电阻（Rds(on)）、高开关速度以及适用于低电压应用。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（Id）：100mA
最大漏极-源极电压（Vds）：12V
最大栅极-源极电压（Vgs）：±8V
导通电阻（Rds(on)）：最大1.2Ω（在Vgs=4.5V时）
栅极电荷（Qg）：5.5nC
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：SOT-323
3SK229XS-TL 具备优异的高频性能和快速开关能力，适合用于便携式电子产品和射频（RF）模块。其低导通电阻确保在低电压环境下仍能保持高效的功率传输。此外，该器件具有良好的热稳定性，可在高温环境下稳定运行。SOT-323封装设计使其适用于高密度电路板布局，同时具备良好的散热性能。该MOSFET在低栅极驱动电压下仍能保持良好的导通特性，适合用于电池供电系统和低功耗设计。
该器件的结构设计优化了漏极电流与导通损耗之间的平衡，使其在小信号开关和逻辑电路中表现出色。由于其小型化封装和高可靠性，3SK229XS-TL 常用于无线通信设备、手持设备、DC-DC转换器以及逻辑电平转换器等应用领域。
3SK229XS-TL MOSFET 广泛应用于便携式电子设备，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源管理和开关控制电路。它也常用于无线通信模块中的射频开关和低噪声放大器控制。此外，该器件适用于逻辑电平转换、LED驱动电路、低功耗传感器接口以及电池管理系统中的开关元件。
Si2302DS-T1-GE3, 2N7002K-TL, FDV301N
