类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：500V
　　栅源电压（VGS）：30V
　　漏极电流（ID）：15A（最大）
　　功耗（PD）：150W
　　工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
　　封装形式：TO-3P

3SK228A MOSFET具有多项优异的电气和热性能特性，适用于各种高频开关应用。其漏源电压为500V，使得该器件能够在高压环境下稳定工作。漏极电流最高可达15A，具备较强的电流承载能力，适用于中高功率的电源转换应用。此外，该晶体管的导通电阻较低，有助于减少导通损耗，提高整体系统的效率。
　　该器件采用TO-3P封装形式，具有良好的散热性能，能够在较高功率下保持稳定工作。TO-3P封装也便于安装在散热片上，以进一步提升热管理能力。3SK228A的工作温度范围为-55℃至+150℃，使其能够在各种恶劣环境条件下可靠运行。
　　在高频应用中，3SK228A展现出良好的开关特性，具有较快的开关速度和较低的开关损耗，适合用于开关电源、逆变器和DC-DC转换器等电路中。此外，其栅极驱动要求相对较低，能够与常见的驱动电路兼容，简化设计和应用过程。

3SK228A广泛应用于多个领域，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机控制、逆变器、照明电子设备以及工业自动化控制系统。由于其优异的高频特性，该MOSFET特别适合用于需要高效能和高可靠性的电子系统中。例如，在开关电源中，3SK228A可用于主开关电路，实现高效的电能转换；在电机驱动电路中，它可用于控制电机的转速和方向；在逆变器系统中，该器件可用于将直流电转换为交流电，广泛应用于不间断电源（UPS）和太阳能逆变系统中。
　　此外，3SK228A还可用于音频放大器、电子镇流器和高频加热设备等特殊应用中。由于其具备良好的热稳定性和较高的功率处理能力，因此在高要求的工业控制和消费电子产品中也具有广泛的应用前景。

2SK228A, IRF840, 2SK1318, 2SK1529