您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > 3SK194IY-TL

3SK194IY-TL 发布时间 时间:2025/7/10 2:04:43 查看 阅读:28

3SK194IY-TL 是一款高性能的功率晶体管,广泛应用于高频和高功率场景。该器件采用先进的硅技术制造,具有优异的电气特性和可靠性,适用于射频放大器、无线通信设备以及其他需要高增益和低噪声的应用领域。
  该晶体管的主要特点是其出色的线性度和稳定性,能够在较宽的工作频率范围内保持稳定的性能表现。同时,其封装设计优化了散热性能,适合长时间连续工作。

参数

型号:3SK194IY-TL
  类型:NPN型双极性晶体管
  集电极-发射极电压(Vce):60V
  集电极电流(Ic):5A
  功率耗散(Ptot):80W
  频率范围:DC~2GHz
  增益带宽积(fT):1.8GHz
  最大工作温度范围:-55℃~+175℃
  封装形式:TO-3P

特性

3SK194IY-TL 的主要特性包括:
  1. 高增益和低噪声系数,特别适合射频信号放大应用。
  2. 稳定的工作性能,在不同温度和负载条件下表现出良好的一致性。
  3. 优化的热设计,允许在高功率密度下长期运行而不影响性能。
  4. 良好的线性度,确保输出信号失真最小化。
  5. 封装坚固耐用,能够承受恶劣环境条件下的使用。
  6. 广泛的工作频率范围,使其成为多种射频和微波应用的理想选择。

应用

该晶体管广泛应用于以下领域:
  1. 高频射频功率放大器。
  2. 无线通信基站设备中的功率模块。
  3. 测试与测量仪器中的信号放大组件。
  4. 工业加热设备和等离子体发生器中的高频电源部分。
  5. 医疗设备中的高频驱动电路。
  6. 其他需要高功率和高频率特性的电子系统中。

替代型号

3SK194GY-TL, 3SK194FY-TL

3SK194IY-TL推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

3SK194IY-TL资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载