类型：N沟道JFET
　　封装形式：SOT-23
　　漏源电压（Vds）：15V
　　栅源电压（Vgs）：-6V
　　最大功耗（Pd）：150mW
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　跨导（Gm）：典型值45mS（在Vds=10V, Id=10mA条件下）
　　夹断电压（Vp）：典型值-1.5V，范围-0.5V ~ -2.5V
　　漏极截止电流（Idss）：典型值7mA，范围3mA ~ 13mA（在Vds=10V, Vgs=0V条件下）
　　输入电容（Ciss）：约5pF
　　反馈电容（Crss）：约1.5pF

3SK189的最大优势之一是其低噪声性能，尤其是在低频段表现出色，这使其成为音频前置放大器和高保真音响系统中的理想选择。JFET器件本身具有比双极型晶体管更低的输入噪声，而3SK189经过优化设计，进一步降低了1/f噪声（闪烁噪声），这对于微弱信号放大至关重要，例如在麦克风前置放大或生物电信号采集等应用中。此外，该器件具有较高的跨导值，在较低的工作电流下即可实现良好的增益特性，提高了电路效率。
　　另一个显著特点是其高输入阻抗特性。由于栅极与沟道之间为反向偏置的PN结，静态情况下栅极电流极小（通常在pA级别），因此几乎不对前级信号源造成负载。这一特性使得3SK189非常适合用于高阻抗信号源的缓冲器或电压跟随器电路，如压电传感器、光电二极管前置放大等场景。
　　3SK189还具备良好的线性度和温度稳定性。其夹断电压和跨导参数在制造过程中经过严格筛选，确保了批次间的一致性，有利于批量生产中的电路一致性控制。同时，该器件能够在-55℃至+150℃的宽温度范围内正常工作，满足工业级和部分军用级应用的需求。
　　SOT-23封装不仅节省空间，而且具有良好的散热性能和焊接可靠性，便于自动化贴片生产。尽管封装小巧，但其引脚布局符合标准，易于在PCB布线中进行布局和匹配。此外，该器件无铅环保，符合RoHS指令要求，适用于现代绿色电子产品设计。

3SK189主要应用于需要低噪声、高输入阻抗和良好线性度的模拟电路中。最常见的用途是在音频设备中的前置放大器阶段，特别是在专业录音设备、吉他放大器、话筒前置放大器中，用于放大微弱的音频信号而不引入明显失真或噪声。由于其低失真特性，也常被用于高保真（Hi-Fi）音响系统中的输入级设计。
　　在传感器接口电路中，3SK189可用于放大来自高输出阻抗传感器的信号，例如压电加速度计、电容式麦克风、光电探测器等。这些传感器通常输出信号微弱且源阻抗较高，使用3SK189可以有效避免信号衰减并提升信噪比。
　　此外，该器件也适用于各种测量仪器，如示波器、信号发生器、数据采集系统的输入缓冲级。在这些应用中，保持信号完整性至关重要，而3SK189的高输入阻抗和低噪声特性正好满足这一需求。
　　在射频（RF）领域，虽然3SK189并非专为高频设计，但在低频段（如中波、短波接收机前端）仍可作为低噪声放大器使用，尤其在对成本和尺寸敏感的便携式无线电设备中具有一定优势。

J201
　　2N5457
　　MPSA18