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3SK136IV-TL 发布时间 时间:2025/9/7 18:40:50 查看 阅读:4

3SK136IV-TL 是一款由东芝(Toshiba)公司生产的N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),常用于高频开关应用和功率放大电路中。该器件采用小型SOT-323封装,适用于便携式电子设备和空间受限的设计。该MOSFET具备低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性,适合用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及小型电机驱动等场景。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏源电压(Vds):20V
  最大栅源电压(Vgs):±12V
  最大连续漏极电流(Id):100mA
  导通电阻(Rds(on)):最大5Ω(在Vgs=4.5V时)
  功率耗散(Pd):200mW
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  封装类型:SOT-323
  输入电容(Ciss):约8pF(在Vds=10V时)
  过渡频率(fT):100MHz(最小值)

特性

3SK136IV-TL 具备多项优异的电气和物理特性,适用于高频和低功耗应用。
  首先,该MOSFET的最大漏源电压为20V,栅源电压为±12V,能够满足低电压电源系统的控制需求。其最大连续漏极电流为100mA,适用于小型信号开关和低功率控制电路。
  其次,导通电阻Rds(on)最大为5Ω,这在低电压驱动条件下有助于降低功率损耗,提高系统效率。此外,该器件的输入电容较低,约为8pF,在高频应用中能够减少开关损耗,提高响应速度。
  该器件采用SOT-323封装,体积小巧,便于在高密度PCB布局中使用,适用于便携式设备如智能手机、蓝牙耳机、传感器模块等。
  其过渡频率fT达到100MHz以上,使其在高频放大和开关应用中表现良好。此外,3SK136IV-TL 具备良好的热稳定性与可靠性,能够在-55°C至+150°C的温度范围内稳定工作,适应各种工业和消费类电子应用环境。

应用

3SK136IV-TL 适用于多种低功率电子系统中,尤其在需要小型化和高频响应的场合。常见应用包括:
  1. 便携式电子设备中的电源开关和负载控制,如蓝牙耳机、智能手表、无线传感器节点等。
  2. DC-DC转换器中的同步整流开关,提高能效并减小电路体积。
  3. 信号路径切换,如音频或数据信号的MOSFET开关电路。
  4. 低功耗微处理器或FPGA的GPIO扩展控制。
  5. 高频放大器中的增益控制或偏置调节。
  由于其高频特性,该MOSFET也广泛用于无线通信模块中的射频开关电路。

替代型号

2SK302BL, 2SK2151, 2N7002, BSS138

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