3SK136IV-TL 时间：2025/9/7 18:40:50 阅读：30

3SK136IV-TL 是一款由东芝（Toshiba）公司生产的N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），常用于高频开关应用和功率放大电路中。该器件采用小型SOT-323封装，适用于便携式电子设备和空间受限的设计。该MOSFET具备低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，适合用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及小型电机驱动等场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：20V
　　最大栅源电压(Vgs)：±12V
　　最大连续漏极电流(Id)：100mA
　　导通电阻(Rds(on))：最大5Ω（在Vgs=4.5V时）
　　功率耗散(Pd)：200mW
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：SOT-323
　　输入电容(Ciss)：约8pF（在Vds=10V时）
　　过渡频率(fT)：100MHz（最小值）

特性

3SK136IV-TL 具备多项优异的电气和物理特性，适用于高频和低功耗应用。
　　首先，该MOSFET的最大漏源电压为20V，栅源电压为±12V，能够满足低电压电源系统的控制需求。其最大连续漏极电流为100mA，适用于小型信号开关和低功率控制电路。
　　其次，导通电阻Rds(on)最大为5Ω，这在低电压驱动条件下有助于降低功率损耗，提高系统效率。此外，该器件的输入电容较低，约为8pF，在高频应用中能够减少开关损耗，提高响应速度。
　　该器件采用SOT-323封装，体积小巧，便于在高密度PCB布局中使用，适用于便携式设备如智能手机、蓝牙耳机、传感器模块等。
　　其过渡频率fT达到100MHz以上，使其在高频放大和开关应用中表现良好。此外，3SK136IV-TL 具备良好的热稳定性与可靠性，能够在-55°C至+150°C的温度范围内稳定工作，适应各种工业和消费类电子应用环境。

应用

3SK136IV-TL 适用于多种低功率电子系统中，尤其在需要小型化和高频响应的场合。常见应用包括：
　　1. 便携式电子设备中的电源开关和负载控制，如蓝牙耳机、智能手表、无线传感器节点等。
　　2. DC-DC转换器中的同步整流开关，提高能效并减小电路体积。
　　3. 信号路径切换，如音频或数据信号的MOSFET开关电路。
　　4. 低功耗微处理器或FPGA的GPIO扩展控制。
　　5. 高频放大器中的增益控制或偏置调节。
　　由于其高频特性，该MOSFET也广泛用于无线通信模块中的射频开关电路。