3RM090L-6L 时间：2025/12/28 20:44:34 阅读：17

3RM090L-6L是一款由STMicroelectronics（意法半导体）制造的低功耗、高效率的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件主要用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统以及各种需要高效开关的应用中。该MOSFET采用了先进的沟槽栅技术，具有较低的导通电阻（Rds(on)）和良好的热性能，适用于中低功率应用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏极电流（Id）：9A
　　漏极-源极电压（Vds）：60V
　　栅极-源极电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：@4.5V Vgs下约为8.5mΩ，@2.5V Vgs下约为13mΩ
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装形式：PowerFLAT 5x6 mm2（无铅封装）
　　安装方式：表面贴装

特性

3RM090L-6L MOSFET具备多项先进的性能特点。首先，其低导通电阻（Rds(on)）有助于减少导通损耗，提高系统的整体效率，尤其适用于高频率开关应用。其次，该器件采用了先进的沟槽栅技术，使得在较低的栅极电压下（如2.5V或4.5V）也能实现良好的导通性能，适用于低压微控制器直接驱动。此外，它具备较高的热稳定性和可靠性，能够在较高的工作温度下稳定运行，适合在严苛的环境条件下使用。
　　该MOSFET的封装采用的是PowerFLAT 5x6 mm2无铅封装，具有良好的散热性能和较小的PCB占用空间，非常适合紧凑型设计。此外，该器件符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，适用于现代绿色电子产品制造。3RM090L-6L的栅极驱动电压范围宽，能够在不同系统电压下稳定工作，提高了其在各种电源管理应用中的适应性。

应用

3RM090L-6L广泛应用于多个领域，包括但不限于：电源管理系统、DC-DC转换器、负载开关控制、电机驱动、电池供电设备、便携式电子设备、工业自动化控制系统、LED照明驱动电路以及汽车电子等。在便携式设备中，它可用于电池保护电路或电源路径管理，以延长电池使用寿命并提高系统效率。在工业和汽车应用中，该MOSFET可用于高可靠性电源模块和电机控制电路中。