类型：N沟道MOSFET
　　漏极电压（VDS）：200V
　　栅极电压（VGS）：±30V
　　最大漏极电流（ID）：10A
　　功耗（PD）：50W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220
　　导通电阻（RDS(on)）：≤0.45Ω
　　阈值电压（VGS(th)）：2V ~ 4V

JX2N5268 MOSFET具有多个显著特性，使其适用于广泛的功率电子应用。
　　首先，其高漏极电压（200V）和漏极电流（10A）能力，使其能够承受较高的功率负载，适合于高电压和高电流的开关电路设计。
　　其次，该器件的导通电阻较低（≤0.45Ω），可以有效减少导通损耗，提高系统效率，尤其适用于高频开关应用。
　　此外，JX2N5268 采用TO-220封装，具备良好的散热性能，有助于在高功率运行时维持较低的结温，从而提升器件的可靠性和使用寿命。
　　它的栅极电压范围为±30V，具备一定的过压耐受能力，增强了其在复杂电路环境中的稳定性。
　　最后，JX2N5268 具有较快的开关速度，适合用于DC-DC转换器、电源管理模块以及电机驱动电路，能够满足现代电子设备对高效能、小型化和高性能的要求。

JX2N5268 MOSFET 主要应用于以下领域：
　　在电源管理系统中，作为高效的开关器件，用于AC-DC和DC-DC转换器的设计，实现电压变换和稳压功能。
　　在电机控制电路中，用于驱动直流电机或步进电机，实现正反转和调速控制。
　　在逆变器和UPS（不间断电源）系统中，JX2N5268 可用于构建H桥结构，实现交流输出波形的生成。
　　在LED驱动和照明控制系统中，可用于恒流驱动电路，提高能效并延长LED寿命。
　　此外，该器件也适用于工业自动化控制、汽车电子系统以及各种需要高功率开关的电子设备。

2N5268, IRF840, FQP10N20