时间：2025/12/28 20:15:19
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3R150TB-8 是一款由瑞萨电子（Renesas Electronics）生产的功率MOSFET模块，广泛应用于需要高效能功率转换的工业和电源管理系统中。该模块采用TO-247封装，具备较高的耐压和耐流能力，适用于高频开关应用。
类型：功率MOSFET模块
最大漏极电流（ID）：150A
漏-源击穿电压（VDS）：800V
导通电阻（RDS(on)）：典型值为3.0mΩ
封装形式：TO-247
工作温度范围：-55°C至+150°C
栅极电荷（Qg）：典型值为180nC
最大功耗（PD）：200W
3R150TB-8 模块具备极低的导通电阻，有助于减少导通损耗并提高整体系统效率。其高耐压能力（800V）使其适用于高电压应用场景，如工业电源、UPS系统和太阳能逆变器。该器件采用先进的沟槽栅极技术，提供快速开关性能，从而降低开关损耗并提高工作频率。此外，该模块具有优异的热稳定性，能够在高温环境下稳定运行，提高了设备的可靠性和寿命。其封装设计优化了散热性能，确保在高电流负载下也能保持良好的温控效果。该器件的高可靠性和长寿命设计使其非常适合用于要求苛刻的工业应用场合。
该模块的栅极驱动设计简单，便于与其他控制电路集成。其快速恢复二极管集成在模块内部，进一步提高了系统的集成度和可靠性。此外，3R150TB-8 还具备良好的短路耐受能力，能够在异常工况下提供一定的保护作用。
3R150TB-8 常用于工业电源、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电机驱动器、焊接设备和高频电源转换系统等高功率应用领域。
SKM150GB12T4、FF150R12RT4、IXFN150N80
