时间：2025/8/30 18:49:30
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3R075TB-8F 是一款由东芝（Toshiba）生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率开关应用。这款MOSFET采用了先进的沟槽式栅极结构技术，具备较低的导通电阻（Rds(on)）和较高的电流处理能力，适用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器等工业和消费类电子设备。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：30V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
最大连续漏极电流（Id）：75A
导通电阻（Rds(on)）：3.0mΩ（典型值）
封装形式：TO-220AB
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
3R075TB-8F 具备出色的导通性能和低开关损耗，适合高频率工作环境。
其导通电阻低至3.0mΩ，可以有效减少功率损耗，提高系统的整体效率。
采用TO-220AB封装，具备良好的散热性能，适合高功率应用。
该器件内置防静电保护结构，提高了在制造和使用过程中的可靠性。
此外，3R075TB-8F 具有良好的雪崩能量承受能力，可在高应力条件下保持稳定工作。
其栅极驱动设计兼容标准逻辑电平，便于与控制器或驱动IC配合使用。
器件的热稳定性优异，即使在高负载条件下也能维持稳定的电气性能。
符合RoHS环保标准，不含铅和有害物质，适用于环保要求较高的产品设计。
3R075TB-8F MOSFET广泛应用于各种电力电子设备中，包括但不限于：
1. 电源模块和DC-DC转换器，用于提升转换效率和功率密度；
2. 电机驱动系统，适用于机器人、自动化设备和电动车控制；
3. 电池管理系统（BMS）和储能系统，用于高效充放电控制；
4. 逆变器和不间断电源（UPS），确保电源稳定性和可靠性；
5. 工业自动化设备中的功率开关控制；
6. 高功率LED驱动电路，提供稳定电流输出；
7. 汽车电子系统，如车载充电器和电动助力转向系统。
TKA75N30K,TMOSFET-75N30
