3R075TA-6 时间：2025/12/28 19:38:59 阅读：14

3R075TA-6 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的功率MOSFET晶体管，属于N沟道增强型场效应晶体管。该器件主要用于电源管理和功率转换应用中，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机控制以及负载开关等。3R075TA-6 采用了先进的沟槽式栅极技术，具备低导通电阻（Rds(on)）、高耐压能力和良好的热稳定性。该MOSFET采用TO-220AB封装，具备良好的散热性能，适用于高电流和高功率应用场景。

参数

类型：N沟道 MOSFET
　　漏极电流（Id）：75A
　　漏极-源极击穿电压（Vds）：30V
　　栅极-源极电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻 Rds(on)：3mΩ（典型值）
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：TO-220AB

特性

3R075TA-6 功率MOSFET具备多项优异的电气和物理特性。首先，其低导通电阻 Rds(on) 仅为3mΩ，使得在高电流条件下导通损耗大大降低，从而提高整体系统的效率。这种特性对于高频开关电源、DC-DC变换器以及电动工具和电动车控制器等高效率要求的应用尤为重要。
　　其次，该MOSFET的漏极-源极耐压为30V，能够在较宽的电压范围内稳定工作，适用于低压高电流应用，如服务器电源、电池管理系统、负载开关和电机驱动器等。栅极-源极电压最大可达±20V，提高了其在不同驱动电路中的适应性。
　　此外，3R075TA-6 采用了先进的沟槽式栅极结构，提升了器件的开关性能，降低了开关损耗，并具备良好的抗雪崩能力和短路耐受能力，增强了系统的可靠性和稳定性。TO-220AB封装形式具备良好的散热能力，适合高功率密度设计，同时引脚排列标准化，便于安装和替换。
　　该器件还具备良好的热稳定性，在高温环境下仍能保持稳定工作，最大工作温度可达到+175°C，使其适用于严苛的工业和车载环境。

应用

3R075TA-6 MOSFET广泛应用于多个高功率电子系统中。在电源管理系统中，它常用于DC-DC转换器、同步整流电路以及电池充放电管理模块，其低导通电阻和高电流承载能力有助于提升转换效率。在电机控制领域，该器件可作为H桥电路中的开关元件，用于电动工具、电动车和工业自动化设备中的直流电机驱动。
　　此外，该MOSFET适用于各种负载开关应用，如电源管理模块中的电源切换、热插拔电路保护以及LED照明驱动等。由于其良好的热稳定性和高耐压能力，3R075TA-6 也广泛应用于服务器电源、通信设备电源、UPS不间断电源以及储能系统中。
　　在汽车电子领域，该器件可用于车载充电器、车载DC-DC转换器以及车载娱乐系统电源模块，满足汽车应用对可靠性和稳定性的高要求。