3P4MH 是一款由东芝(Toshiba)生产的功率晶体管,属于MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)类型。该器件设计用于高功率应用,具备良好的导通性能和较高的开关速度。其封装形式为TO-220,便于散热和安装,适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制等多种电子系统。3P4MH 通常用于需要高效率和高可靠性的工业设备和消费类电子产品中。
类型:N沟道MOSFET
最大漏极电流:4A
最大漏源电压:60V
最大栅源电压:±20V
导通电阻(Rds(on)):0.018Ω(最大)
功率耗散:40W
工作温度范围:-55°C至150°C
封装类型:TO-220
3P4MH 具备优异的导通性能和快速的开关响应能力,适用于高频率开关应用。
其低导通电阻(Rds(on))确保了在高电流下依然保持较低的功率损耗,从而提高了系统的整体效率。
该器件的封装形式为TO-220,具有良好的散热性能,适合高功率密度设计。
3P4MH 的栅极驱动电压范围较宽,支持与多种控制电路的兼容性,方便设计和集成。
此外,该MOSFET具备较高的热稳定性和抗过载能力,确保在恶劣工作环境下的可靠性。
由于其高性能和高可靠性,3P4MH 在电源管理和电机控制领域得到了广泛应用。
3P4MH 常用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电池管理系统、电机驱动电路、负载开关、LED照明驱动以及工业自动化控制系统中。
在电源管理应用中,该器件能够有效提升系统的能量转换效率,降低发热量。
在电机控制方面,3P4MH 提供了快速的开关响应和稳定的电流控制能力,适用于无刷直流电机(BLDC)和步进电机的驱动电路。
此外,该MOSFET也适用于需要高效率和高可靠性的消费类电子产品和工业设备。
IRFZ44N, FDP6030L, STP4NK60Z