3P4MH 时间：2025/7/17 20:00:36 阅读：17

3P4MH 是一款由东芝（Toshiba）生产的功率晶体管，属于MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）类型。该器件设计用于高功率应用，具备良好的导通性能和较高的开关速度。其封装形式为TO-220，便于散热和安装，适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制等多种电子系统。3P4MH 通常用于需要高效率和高可靠性的工业设备和消费类电子产品中。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流：4A
　　最大漏源电压：60V
　　最大栅源电压：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：0.018Ω（最大）
　　功率耗散：40W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-220

特性

3P4MH 具备优异的导通性能和快速的开关响应能力，适用于高频率开关应用。
　　其低导通电阻（Rds(on)）确保了在高电流下依然保持较低的功率损耗，从而提高了系统的整体效率。
　　该器件的封装形式为TO-220，具有良好的散热性能，适合高功率密度设计。
　　3P4MH 的栅极驱动电压范围较宽，支持与多种控制电路的兼容性，方便设计和集成。
　　此外，该MOSFET具备较高的热稳定性和抗过载能力，确保在恶劣工作环境下的可靠性。
　　由于其高性能和高可靠性，3P4MH 在电源管理和电机控制领域得到了广泛应用。

应用

3P4MH 常用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电池管理系统、电机驱动电路、负载开关、LED照明驱动以及工业自动化控制系统中。
　　在电源管理应用中，该器件能够有效提升系统的能量转换效率，降低发热量。
　　在电机控制方面，3P4MH 提供了快速的开关响应和稳定的电流控制能力，适用于无刷直流电机（BLDC）和步进电机的驱动电路。
　　此外，该MOSFET也适用于需要高效率和高可靠性的消费类电子产品和工业设备。